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IS43LD32800B-25BLI 发布时间 时间:2025/12/28 18:20:44 查看 阅读:33

IS43LD32800B-25BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的伪静态随机存取存储器(PSRAM)芯片。该芯片集成了32Mbit的存储容量,采用BGA封装,适用于需要高性能存储解决方案的便携式和嵌入式系统。IS43LD32800B-25BLI支持多种工作模式,包括自动休眠和深度掉电模式,以优化功耗。

参数

容量:32Mbit
  组织方式:1M x 32
  封装:63-ball BGA
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:25ns
  最大频率:100MHz
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  数据宽度:32位
  封装尺寸:8mm x 9.5mm
  接口类型:异步SRAM接口
  

特性

IS43LD32800B-25BLI 的主要特性包括其高容量和低功耗设计,使其非常适合用于电池供电设备和需要高密度存储的应用。该芯片支持多种低功耗模式,如自动休眠模式和深度掉电模式,可在不使用时显著降低功耗。其异步SRAM接口与标准SRAM控制器兼容,简化了系统集成过程。
  此外,IS43LD32800B-25BLI 具备较高的读写速度,访问时间为25ns,最高频率可达100MHz,这使得它在需要快速数据访问的应用中表现优异。其宽电压范围(2.3V至3.6V)使其适用于多种电源设计,增加了设计的灵活性。

应用

IS43LD32800B-25BLI 主要用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统,例如移动电话、数码相机、便携式多媒体设备、GPS导航系统和工业控制设备。其较大的存储容量和较快的访问速度使其非常适合用于缓存或临时数据存储。
  在通信设备中,该芯片可用于存储运行时的数据和程序代码。在工业控制和自动化系统中,IS43LD32800B-25BLI 可用于高速数据缓冲和临时存储。此外,该芯片也适用于需要可靠存储和快速响应时间的车载电子系统,如车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)。

替代型号

IS43LD32800A-25BLI, IS43LD32800B-35BLI, IS43LD32800B-45BLI

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IS43LD32800B-25BLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格171 : ¥48.74462散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织8M x 32
  • 存储器接口HSUL_12
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.5 ns
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳134-TFBGA
  • 供应商器件封装134-TFBGA(10x11.5)