类型：NAND 闪存
　　容量：2GB
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　接口：ONFI 1.0 兼容
　　读取速度：最高可达 25MB/s
　　写入速度：最高可达 15MB/s
　　擦除速度：块擦除时间典型值为 2ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

35LSQ82000M51X98 是一款 2GB 容量的 NAND 闪存芯片，专为高可靠性和耐用性设计。其采用 ONFI 1.0 接口标准，与主流控制器兼容，便于集成到各种嵌入式系统和存储设备中。该芯片支持高速数据读取和写入操作，读取速度高达 25MB/s，写入速度最高为 15MB/s，满足大多数实时数据处理需求。
　　此外，该芯片具有较长的使用寿命，支持超过 100,000 次编程/擦除周期，适合频繁写入的应用场景。每个块的擦除时间仅需约 2ms，显著提高了数据管理效率。其工作温度范围宽泛，为 -40°C 至 +85°C，适用于各种工业环境。
　　35LSQ82000M51X98 的电源电压范围为 2.7V 至 3.6V，允许在不同供电条件下稳定运行，提高了设计灵活性。封装形式为 TSOP，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。此外，该芯片内置错误检测和纠正机制，确保数据完整性与可靠性。

35LSQ82000M51X98 常用于嵌入式系统、工业控制设备、固态硬盘（SSD）、数码相机、MP3 播放器、车载导航系统等需要大容量、非易失性存储的场合。由于其高性能和高可靠性，也适用于医疗设备、测试仪器和通信设备等对稳定性要求较高的应用领域。

MT29F16G08QAAAB3, K9F1G08U0D-PCB0, HY27US08561A