时间：2025/8/2 6:21:29
阅读：21
DMT6015LSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻和高可靠性。DMT6015LSS-13封装为SOT26（SOT-26）形式，适用于紧凑型电路设计，广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统和DC-DC转换器等场合。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：-20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
最大连续漏极电流(ID)：-6A
导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS = -4.5V，55mΩ @ VGS = -2.5V
功率耗散(PD)：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT26 (SOT-26)
DMT6015LSS-13具有多项优良的电气和物理特性，适用于各种电源管理应用。其主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。该MOSFET采用先进的沟槽式工艺制造，确保了在低栅极驱动电压下的高效导通性能，从而降低开关损耗并提高系统效率。此外，DMT6015LSS-13的SOT26封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在-2.5V至-4.5V之间正常工作，使其兼容多种控制电路。其高可靠性和稳定性使其在高温环境下依然能够保持良好的性能，适用于工业级和消费类电子产品。DMT6015LSS-13还具备良好的短路保护能力和抗静电性能，确保系统在异常情况下的稳定运行。
DMT6015LSS-13广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高效电源管理和负载控制的场合。常见应用包括便携式电子设备的电源开关、电池管理系统、DC-DC转换器、LED照明驱动电路以及各类低电压功率控制电路。由于其SOT26封装的小巧尺寸和优异的电气性能，该MOSFET特别适合用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等。此外，该器件还可用于工业自动化设备、智能传感器和嵌入式系统的电源管理模块。
Si3442DV-T1-GE3, FDC6330L, DMT2015LSS-13, AO4406A, TPC8103
