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IS43LD32640B-25BPLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:34:46 查看 阅读:22

IS43LD32640B-25BPLI-TR 是一款由Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片的容量为2Mbit,组织方式为32K x 64位。该器件适用于需要高性能和低功耗的系统应用,如网络设备、工业控制、通信设备和嵌入式系统。该SRAM采用同步设计,工作频率可达25MHz,支持高速数据读写操作。IS43LD32640B-25BPLI-TR采用小型封装,便于集成在空间受限的PCB设计中。

参数

存储容量:2Mbit
  组织方式:32K x 64位
  供电电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  最大访问时间:25ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:100
  工作频率:最高25MHz
  接口类型:并行接口
  数据保持电压:1.5V(最小)
  封装尺寸:根据具体封装类型而定

特性

IS43LD32640B-25BPLI-TR 是一款高速同步SRAM,具有低功耗特性,非常适合需要长时间运行且对功耗敏感的应用。该器件在读写操作期间表现出极低的延迟,确保系统在高频率下仍能保持稳定性能。其异步控制信号与同步地址/数据输入相结合,使系统设计更加灵活。
  该芯片具备自动数据保持功能,在掉电情况下仍能保持数据完整性,只要VDD维持在数据保持电压以上。此外,该SRAM还具备高速双向数据总线,允许快速的数据传输,适用于需要频繁访问的缓存或高速缓冲存储器应用场景。
  IS43LD32640B-25BPLI-TR 还具备高可靠性和工业级温度适应性,能够在严苛的环境条件下稳定运行,适用于工业自动化、通信基础设施和嵌入式系统等对稳定性要求较高的应用领域。

应用

IS43LD32640B-25BPLI-TR 通常用于需要高速数据访问和低功耗的嵌入式系统和工业设备。典型应用包括路由器和交换机的缓存、工业控制系统的数据缓冲、通信设备的临时存储器、医疗成像设备的图像缓存、高性能音频视频处理设备以及各种需要高速SRAM的电子系统。

替代型号

IS43LD32640B-25BLLI-TR, CY7C1380D-250BZXC, IDT71V416S25PFGI

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IS43LD32640B-25BPLI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格最后售卖
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态最后售卖
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织64M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳168-VFBGA
  • 供应商器件封装168-VFBGA(12x12)