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IS43DR86400C-3DBL-TR 发布时间 时间:2025/9/1 14:49:37 查看 阅读:9

IS43DR86400C-3DBL-TR 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高速、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于DRAM产品系列,广泛用于需要高性能存储器的电子设备中,如嵌入式系统、网络设备和工业控制设备。IS43DR86400C-3DBL-TR 采用CMOS工艺制造,具有较高的数据传输速率和较低的功耗,适用于各种高性能存储器应用场景。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:4M x 16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54

特性

IS43DR86400C-3DBL-TR 具有多个显著的技术特性。首先,其64Mbit的存储容量和4M x 16的组织结构使其适用于需要大容量存储的应用场景。该芯片的访问时间为5.4ns,表明其具有较高的数据传输速率,能够满足高速数据处理的需求。
  此外,IS43DR86400C-3DBL-TR 的电源电压范围为2.3V至3.6V,这意味着它可以在较宽的电压范围内正常工作,适应不同的电源设计需求。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级应用环境,确保在极端温度下仍能稳定运行。

应用

IS43DR86400C-3DBL-TR 广泛应用于需要高性能存储器的电子设备中。例如,在嵌入式系统中,该芯片可以作为主存储器,提供快速的数据存取能力。在网络设备中,IS43DR86400C-3DBL-TR 可用于缓存和数据缓冲,提高设备的数据处理能力。此外,它还适用于工业控制系统,用于存储和处理大量的实时数据。
  在通信设备中,该芯片可以用于存储和转发数据包,确保通信的高效性和稳定性。在图像处理和视频设备中,IS43DR86400C-3DBL-TR 可以提供足够的存储空间和高速的数据访问能力,满足实时图像处理的需求。

替代型号

IS43DR86400C-3DBL-TR 的替代型号包括 IS43DR86400C-3BL-TR 和 IS43DR86400C-3DBL-I。

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IS43DR86400C-3DBL-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,000 : ¥28.36704卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TWBGA(8x10.5)