时间：2025/9/1 14:49:37
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IS43DR86400C-3DBL-TR 是由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的一款高速、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于DRAM产品系列，广泛用于需要高性能存储器的电子设备中，如嵌入式系统、网络设备和工业控制设备。IS43DR86400C-3DBL-TR 采用CMOS工艺制造，具有较高的数据传输速率和较低的功耗，适用于各种高性能存储器应用场景。
容量：64Mbit
组织结构：4M x 16
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：54
IS43DR86400C-3DBL-TR 具有多个显著的技术特性。首先，其64Mbit的存储容量和4M x 16的组织结构使其适用于需要大容量存储的应用场景。该芯片的访问时间为5.4ns，表明其具有较高的数据传输速率，能够满足高速数据处理的需求。
此外，IS43DR86400C-3DBL-TR 的电源电压范围为2.3V至3.6V，这意味着它可以在较宽的电压范围内正常工作，适应不同的电源设计需求。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用环境，确保在极端温度下仍能稳定运行。
IS43DR86400C-3DBL-TR 广泛应用于需要高性能存储器的电子设备中。例如，在嵌入式系统中，该芯片可以作为主存储器，提供快速的数据存取能力。在网络设备中，IS43DR86400C-3DBL-TR 可用于缓存和数据缓冲，提高设备的数据处理能力。此外，它还适用于工业控制系统，用于存储和处理大量的实时数据。
在通信设备中，该芯片可以用于存储和转发数据包，确保通信的高效性和稳定性。在图像处理和视频设备中，IS43DR86400C-3DBL-TR 可以提供足够的存储空间和高速的数据访问能力，满足实时图像处理的需求。
IS43DR86400C-3DBL-TR 的替代型号包括 IS43DR86400C-3BL-TR 和 IS43DR86400C-3DBL-I。
