时间：2025/9/1 12:25:42
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IS43DR82560C-25DBL 是一颗由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于低功耗CMOS SRAM产品线。该芯片具有256K x 8位的存储容量，适用于需要快速数据访问和低功耗设计的应用场景，例如网络设备、工业控制系统和通信设备等。该SRAM芯片采用CMOS工艺制造，具备高速访问时间和低功耗特性，能够在宽温度范围内稳定运行。
容量：256K x 8位
访问时间：25ns
电源电压：2.3V 至 3.6V
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保持电压：1.5V
封装尺寸：54-TSOP
组织结构：8位数据总线（x8）
封装类型：标准TSOP-II
IS43DR82560C-25DBL 芯片采用了先进的CMOS工艺，确保了高速操作和低功耗运行。其最大访问时间为25ns，适用于需要快速读写性能的系统。此外，该器件在待机模式下的功耗非常低，适合电池供电或需要节能的应用。该SRAM芯片支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），使其能够兼容多种电源设计，并且在电压降至1.5V时仍可保持数据不丢失。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境。54引脚TSOP封装提供了良好的散热性能和空间效率，适合高密度PCB布局。
这款SRAM芯片还具备自动省电模式，在没有读写操作时自动进入低功耗状态，进一步延长设备的续航时间。其异步控制接口包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持标准SRAM控制器连接。此外，IS43DR82560C-25DBL 符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品设计。
IS43DR82560C-25DBL 广泛应用于需要高速、低功耗和宽工作温度范围的嵌入式系统。例如，它常用于工业自动化控制设备中的缓存存储器，用于临时存储程序代码或数据；在网络设备（如路由器和交换机）中作为快速数据缓冲区，提升数据转发效率；在便携式医疗设备或远程监控系统中，作为主存储器使用，支持低功耗运行以延长电池寿命。此外，该芯片也适用于汽车电子系统中的仪表盘控制模块、导航系统缓存存储以及通信模块的数据缓存，确保在复杂环境下稳定工作。由于其TSOP封装结构紧凑，也适合空间受限的设计。
IS43DR82560C-25DBL的替代型号包括IS43LV82560C-25DBL、IS43DR82560B-25DBL和CY62148EVLL-25ZSXI。
