时间：2025/9/1 9:29:41
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IS43DR81280C-3DBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高速、低功耗的SRAM产品系列，广泛用于需要高速数据访问和可靠性能的系统中。IS43DR81280C-3DBLI 是一个容量为128K x 8位的SRAM芯片，工作电压为3.3V，适用于多种嵌入式系统和工业应用。
容量：128K x 8位
组织方式：1Mbit
电源电压：3.3V
访问时间：10ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54引脚 TSOP
数据输入/输出：8位并行
控制信号：CE（片选），OE（输出使能），WE（写使能）
封装尺寸：标准TSOP
封装材料：塑料
IS43DR81280C-3DBLI 以其高速访问时间和低功耗特性而著称，适用于需要快速数据读写的应用场景。该芯片支持异步操作，使得其在各种主控设备或嵌入式系统中易于集成。它的工作电压为3.3V，降低了系统功耗，同时确保了稳定性和兼容性。
该SRAM芯片具有高可靠性和宽温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业级环境。封装形式为54引脚TSOP，适合表面贴装工艺，便于大批量生产。IS43DR81280C-3DBLI 还支持低待机电流，有助于在低功耗模式下节省电能。此外，其并行接口结构允许高效的数据传输，适用于需要高吞吐量的系统，如网络设备、工业控制、通信模块和消费类电子产品。
IS43DR81280C-3DBLI 广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统。例如，它被用于路由器和交换机中的数据缓冲区，工业控制系统中的实时数据处理，以及高端消费电子产品如打印机、扫描仪和多媒体设备中的临时数据存储。由于其工业级温度范围和高稳定性，它也适用于汽车电子和医疗设备等对可靠性要求较高的领域。
IS43LV168128-3BLI-TR, CY62148EVLL-48BZE3, IDT71V128SA10PFGI
