时间：2025/9/1 10:28:33
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IS43DR16640C-3DBLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片为高速、低功耗的DRAM存储器，广泛应用于需要高性能存储解决方案的电子设备中，如网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统等。IS43DR16640C-3DBLI采用了CMOS工艺，具备高可靠性和稳定性。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
最大时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
IS43DR16640C-3DBLI是一款高性能DRAM芯片，具备多项优良特性。其高速访问时间（5.4ns）和最大时钟频率（166MHz）使其适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片支持异步操作，允许灵活的控制方式，同时具备低功耗设计，适用于对功耗敏感的设备。
此外，该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的集成度和较低的静态电流，从而提高了整体能效。封装方面，TSOP（薄型小外形封装）使其适合于空间受限的设计，并具有良好的热稳定性和机械强度。
IS43DR16640C-3DBLI支持多种工作模式，包括读操作、写操作、刷新操作等，确保数据的稳定性和完整性。其宽电压范围（2.3V至3.6V）增强了兼容性，便于与不同电源系统配合使用。此外，该芯片具备较高的抗干扰能力，适用于工业级工作环境。
IS43DR16640C-3DBLI广泛应用于多个高性能存储需求的领域。典型应用包括网络交换机和路由器、通信设备、嵌入式控制系统、工业自动化设备以及消费类电子产品。其高速存取能力和低功耗特性使其特别适用于需要快速数据缓存和临时存储的场景。
IS48C16160A-5B4BLI, IS43C16400A-5H
