时间：2025/9/1 10:17:03
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IS43DR16640C-25DBL 是由 Integrated Silicon Solution（ISSI）公司生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于异步DRAM类型，具有16Mbit（1M x 16）的存储容量，采用CMOS工艺制造，适用于需要中等容量存储和高速数据访问的嵌入式系统和工业控制应用。
容量：16Mbit
组织结构：1M x 16
供电电压：3.3V
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
最大访问时间：25ns
封装引脚数：54
数据宽度：16位
时钟频率：异步操作，无固定时钟
IS43DR16640C-25DBL 具有低功耗和高速访问的特点，非常适合嵌入式系统和工业控制应用。其异步接口设计使其与各种主控芯片兼容性良好，无需复杂的时序控制逻辑。该芯片采用高性能CMOS工艺制造，能够在高温度环境下稳定工作，适用于工业级温度范围。此外，其TSOP封装形式有助于减小PCB面积，提高系统的集成度。
该DRAM芯片支持高速数据访问，最大访问时间仅为25ns，能够满足对数据读写速度有一定要求的应用场景。同时，其16位数据宽度的设计也提升了数据传输效率，适用于需要高带宽的数据处理系统。由于其非同步设计，IS43DR16640C-25DBL在系统设计中更容易实现时序匹配，降低了系统设计的复杂度。
该芯片的3.3V供电电压设计使其在保持高性能的同时，兼顾了低功耗的要求。这一特性对于需要长时间运行且对功耗敏感的嵌入式设备尤为重要。此外，其54引脚TSOP封装不仅保证了良好的电气性能，还具备良好的散热能力，适用于各种严苛的工业环境。
IS43DR16640C-25DBL 广泛应用于工业控制系统、通信设备、网络设备、医疗仪器、汽车电子、消费类电子产品等需要大容量高速存储的场合。由于其异步接口和高速访问特性，它也常用于图形处理器、图像处理系统、视频采集与显示设备等对数据吞吐率要求较高的系统中。
IS43DR16640B-25DBL, IS43DR16640C-25DBLI, CY62167VLL-25ZS, ISSI IS43DR16640A-25DBL
