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IS43DR16640B-3DBL 发布时间 时间:2025/5/30 12:42:43 查看 阅读:9

IS43DR16640B-3DBL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)推出的高速低功耗DDR3 SDRAM存储芯片。该芯片主要用于需要大容量数据存储和快速访问的设备,例如网络通信设备、工控设备、消费类电子产品等。其采用先进的制程工艺,具有高带宽、低功耗和高可靠性的特点。

参数

容量:16M x 64bits (1GB)
  核心电压:1.35V
  I/O电压:1.5V
  数据速率:800Mbps
  封装形式:BGA164
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚间距:1.0mm
  数据宽度:64位

特性

IS43DR16640B-3DBL支持DDR3标准规范,具有以下主要特性:
  1. 支持ONFI 2.3协议,提供更高效的闪存接口性能。
  2. 集成了自动刷新功能,减少了主控制器的负载。
  3. 内置DLL(延迟锁相环),确保时钟信号的精确对齐。
  4. 支持突发长度为4或8,满足不同应用需求。
  5. 提供多种省电模式,包括自刷新模式、深度掉电模式等,以降低功耗。
  6. 具有高性能ECC校验功能,能够有效检测并纠正数据错误,提升系统可靠性。
  7. 工作频率高达800MHz,可满足高速数据传输的需求。

应用

这款DDR3 SDRAM芯片适用于多种领域,包括但不限于:
  1. 网络路由器和交换机中的数据缓冲区。
  2. 数字电视和机顶盒中的视频处理模块。
  3. 工业自动化控制设备的数据存储单元。
  4. 汽车电子系统中的信息娱乐模块。
  5. 医疗设备中用于实时数据采集和分析的缓存区域。
  6. 游戏机和其他高性能消费类电子产品的图形渲染缓存。

替代型号

IS43TR16640B-3DIL
  MT41K128M16JT-045
  K4B2G164QF-FCU2

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IS43DR16640B-3DBL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥48.57000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)