时间：2025/5/30 12:42:43
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IS43DR16640B-3DBL是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）推出的高速低功耗DDR3 SDRAM存储芯片。该芯片主要用于需要大容量数据存储和快速访问的设备，例如网络通信设备、工控设备、消费类电子产品等。其采用先进的制程工艺，具有高带宽、低功耗和高可靠性的特点。
容量：16M x 64bits (1GB)
核心电压：1.35V
I/O电压：1.5V
数据速率：800Mbps
封装形式：BGA164
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚间距：1.0mm
数据宽度：64位
IS43DR16640B-3DBL支持DDR3标准规范，具有以下主要特性：
1. 支持ONFI 2.3协议，提供更高效的闪存接口性能。
2. 集成了自动刷新功能，减少了主控制器的负载。
3. 内置DLL（延迟锁相环），确保时钟信号的精确对齐。
4. 支持突发长度为4或8，满足不同应用需求。
5. 提供多种省电模式，包括自刷新模式、深度掉电模式等，以降低功耗。
6. 具有高性能ECC校验功能，能够有效检测并纠正数据错误，提升系统可靠性。
7. 工作频率高达800MHz，可满足高速数据传输的需求。
这款DDR3 SDRAM芯片适用于多种领域，包括但不限于：
1. 网络路由器和交换机中的数据缓冲区。
2. 数字电视和机顶盒中的视频处理模块。
3. 工业自动化控制设备的数据存储单元。
4. 汽车电子系统中的信息娱乐模块。
5. 医疗设备中用于实时数据采集和分析的缓存区域。
6. 游戏机和其他高性能消费类电子产品的图形渲染缓存。
IS43TR16640B-3DIL
MT41K128M16JT-045
K4B2G164QF-FCU2
