IS43DR16640B-25DBL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高速、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于同步动态RAM(SDRAM)类型,具有较大的存储容量和较高的数据传输速率,适用于需要高性能存储解决方案的应用场景,如网络设备、通信系统、工业控制设备和嵌入式系统等。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具有良好的电气性能和散热特性。
容量:256Mb
组织方式:16M x 16
电压:2.3V - 3.6V
访问时间:25ns
封装类型:BGA
引脚数:54
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
IS43DR16640B-25DBL具有多项优良特性,确保其在各种高性能应用中稳定运行。首先,该芯片支持高速访问,访问时间为25ns,使其适用于对响应速度有较高要求的系统。其次,其低功耗设计使其在长时间运行过程中能够保持较低的热量和能耗,提高了系统的整体能效。
此外,IS43DR16640B-25DBL采用了先进的CMOS工艺制造,具有良好的抗干扰能力和稳定性,适用于各种严苛的工作环境。其宽电压范围(2.3V至3.6V)使其兼容多种电源管理系统,提高了在不同系统中的适应性。
该芯片的BGA封装形式不仅减小了PCB(印刷电路板)空间占用,还提供了优异的电气连接性能和散热能力,适合高密度布线和高频应用。同时,其工作温度范围广泛(-40°C至+85°C),可用于工业级和车载环境。
IS43DR16640B-25DBL在数据保持能力和可靠性方面表现出色,具备较长的使用寿命和稳定的数据存储能力,适合对数据完整性要求较高的应用场合。
IS43DR16640B-25DBL广泛应用于需要高速、低功耗和高可靠性的电子系统中。典型应用包括通信设备(如路由器、交换机)、工业控制设备、医疗仪器、汽车电子系统以及嵌入式处理器系统。由于其高速访问能力和宽电压范围,该芯片也适用于便携式设备和低功耗控制系统。
IS43DR16640B-25DBL可替代的型号包括ISSI的其他系列SDRAM芯片,如IS43DR16640B-25HBL和IS43DR16640B-25DBLF,具体取决于应用场景和电气要求。