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IS43DR16640B-25DBL 发布时间 时间:2025/9/1 10:09:55 查看 阅读:10

IS43DR16640B-25DBL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高速、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于同步动态RAM(SDRAM)类型,具有较大的存储容量和较高的数据传输速率,适用于需要高性能存储解决方案的应用场景,如网络设备、通信系统、工业控制设备和嵌入式系统等。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具有良好的电气性能和散热特性。

参数

容量:256Mb
  组织方式:16M x 16
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:25ns
  封装类型:BGA
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

IS43DR16640B-25DBL具有多项优良特性,确保其在各种高性能应用中稳定运行。首先,该芯片支持高速访问,访问时间为25ns,使其适用于对响应速度有较高要求的系统。其次,其低功耗设计使其在长时间运行过程中能够保持较低的热量和能耗,提高了系统的整体能效。
  此外,IS43DR16640B-25DBL采用了先进的CMOS工艺制造,具有良好的抗干扰能力和稳定性,适用于各种严苛的工作环境。其宽电压范围(2.3V至3.6V)使其兼容多种电源管理系统,提高了在不同系统中的适应性。
  该芯片的BGA封装形式不仅减小了PCB(印刷电路板)空间占用,还提供了优异的电气连接性能和散热能力,适合高密度布线和高频应用。同时,其工作温度范围广泛(-40°C至+85°C),可用于工业级和车载环境。
  IS43DR16640B-25DBL在数据保持能力和可靠性方面表现出色,具备较长的使用寿命和稳定的数据存储能力,适合对数据完整性要求较高的应用场合。

应用

IS43DR16640B-25DBL广泛应用于需要高速、低功耗和高可靠性的电子系统中。典型应用包括通信设备(如路由器、交换机)、工业控制设备、医疗仪器、汽车电子系统以及嵌入式处理器系统。由于其高速访问能力和宽电压范围,该芯片也适用于便携式设备和低功耗控制系统。

替代型号

IS43DR16640B-25DBL可替代的型号包括ISSI的其他系列SDRAM芯片,如IS43DR16640B-25HBL和IS43DR16640B-25DBLF,具体取决于应用场景和电气要求。

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IS43DR16640B-25DBL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥48.57000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)