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NX7002AKS 发布时间 时间:2025/9/15 3:58:33 查看 阅读:15

NX7002AKS是一款由Nexperia(原恩智浦半导体的小信号部门)推出的双N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用DFN1006-3封装,适用于需要高集成度和低功耗设计的便携式电子产品。NX7002AKS在逻辑电平控制应用中表现出色,能够提供快速开关性能,并具备较低的导通电阻。由于其小型封装和优异的电气特性,NX7002AKS广泛应用于电源管理、负载开关、信号切换以及各类低电压控制电路中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±8V
  连续漏极电流(ID):100mA
  导通电阻(RDS(on)):5.5Ω @ VGS=4.5V
  导通电阻(RDS(on)):7Ω @ VGS=2.5V
  栅极电荷(Qg):0.5nC
  功耗(Ptot):300mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:DFN1006-3

特性

NX7002AKS具有多项优异的电气和物理特性,使其在低电压MOSFET应用中表现出色。
  首先,该器件采用了先进的沟槽技术,能够在较低的VGS电压下实现良好的导通性能,适用于3.3V甚至更低电压的控制系统。其导通电阻在4.5V栅压下仅为5.5Ω,在2.5V栅压下为7Ω,确保了在逻辑电平驱动下的高效运行。
  其次,NX7002AKS的封装尺寸非常小巧,采用DFN1006-3封装形式,底面散热焊盘设计有助于提高热性能,同时节省PCB空间,适用于高密度电路设计。  另外,NX7002AKS的栅极电荷仅为0.5nC,这意味着其开关速度快、动态损耗低,适合用于高频开关应用。同时,该MOSFET具备较强的抗静电能力,提升了器件在实际应用中的可靠性。

应用

NX7002AKS由于其低导通电阻、小封装尺寸和良好的电气性能,广泛应用于多种电子设备和系统中。
  在便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,NX7002AKS常用于电源管理模块、电池充放电控制电路和负载开关等场景。其低功耗特性也有助于延长设备的续航时间。
  在数字电路和微控制器系统中,NX7002AKS适用于信号切换、GPIO扩展、LED驱动和继电器替代等应用。由于其支持逻辑电平驱动,可以直接由3.3V或更低电压的MCU进行控制,简化了外围电路设计。
  此外,NX7002AKS也可用于各类传感器接口电路、DC-DC转换器、马达驱动电路以及低电压电源分配系统。其DFN封装形式特别适合对空间要求严格的工业控制、汽车电子和物联网设备。
  在通信设备中,NX7002AKS可作为射频开关或低噪声信号通路控制元件,因其快速开关特性和低寄生参数,有助于提升系统响应速度和稳定性。

替代型号

2N7002KW、2N7002K、BSS138、FDV301N、SI2302DS

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