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IS43DR16320E-25DBLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:27:22 查看 阅读:9

IS43DR16320E-25DBLI 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高性能、低功耗的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片采用32兆位(32Mbit)的存储结构,具体配置为16位宽 x 32Mbit容量,适用于需要高速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。IS43DR16320E-25DBLI 采用先进的CMOS工艺制造,确保了低功耗和高可靠性。该芯片的工作电压为2.3V至3.6V,适合在广泛的工业温度范围内运行(-40°C至+85°C),因此非常适合工业级应用。该封装为54引脚TSOP(薄型小外形封装),便于在空间受限的设计中使用。

参数

容量:32Mbit
  配置:x16
  类型:DRAM
  电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:54-TSOP
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  速度等级:25ns
  接口:异步
  刷新方式:自动刷新/自刷新
  数据保持电压:2V

特性

IS43DR16320E-25DBLI 是一款高性能、低功耗的DRAM存储器芯片,具有优异的稳定性和广泛的适用性,特别适合在工业和嵌入式系统中使用。该芯片基于CMOS工艺制造,确保了低功耗操作,同时支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,有效延长了数据保存时间,并降低了系统维护的复杂度。
  该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,具有良好的电压兼容性,可以适应多种电源设计环境。此外,IS43DR16320E-25DBLI 的访问速度为25ns,提供了快速的数据读写能力,适用于需要实时响应的应用场景,如图像处理、网络通信和工业控制等。
  其54引脚TSOP封装结构紧凑,适合在空间受限的PCB布局中使用,同时具备良好的散热性能,有助于在高温环境下保持稳定运行。该芯片的工业级工作温度范围为-40°C至+85°C,确保了在极端环境下的可靠性和稳定性,适合用于工业自动化、车载电子、安防监控等应用领域。
  IS43DR16320E-25DBLI 支持异步接口,允许与多种主控芯片直接连接,无需额外的接口逻辑电路,简化了系统设计并降低了整体成本。同时,其支持数据保持模式,在低电压状态下仍能保持数据完整性,为系统在低功耗模式下的运行提供了保障。

应用

IS43DR16320E-25DBLI 广泛应用于需要高性能和高稳定性的嵌入式系统中,例如工业控制设备、自动化仪表、医疗电子设备、通信设备和车载导航系统等。由于其低功耗和异步接口特性,该芯片也适用于手持设备和便携式电子产品,如智能终端、条码扫描仪、数据采集器等。此外,其宽电压范围和工业温度适应能力使其在恶劣环境下的应用表现尤为出色,例如在户外监控系统、工业PLC(可编程逻辑控制器)以及远程数据采集系统中均能发挥重要作用。在需要大量数据缓存的场合,如图像缓冲、视频帧缓存和网络数据包缓冲中,IS43DR16320E-25DBLI 也是理想的选择。

替代型号

IS43DR16320B-25DBLI, IS48C16320A-25BA, IS43R16320B-25DBLI

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IS43DR16320E-25DBLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格209 : ¥38.87311托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)