FDPF3N50NZ 是一款由 Fairchild(现隶属于 ON Semiconductor)生产的 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高频和高效率的电力电子应用。
这款 MOSFET 的额定电压为 500V,使其能够承受较高的反向电压,同时其封装形式为 DPAK (TO-263),适合表面贴装工艺,从而简化了电路板设计并提高了系统的可靠性。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:4.5Ω
栅极电荷:15nC
总电容:28pF
工作结温范围:-55℃ 至 150℃
FDPF3N50NZ 提供了出色的电气性能和可靠性:
1. 高击穿电压:该器件可承受高达 500V 的漏源电压,适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为 4.5Ω,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
3. 快速开关能力:低栅极电荷和输出电荷的设计使其具备快速开关特性,非常适合高频开关电源、DC-DC 转换器等应用。
4. 热稳定性强:支持的工作结温范围从 -55℃ 到 150℃,能够在极端温度条件下保持稳定性能。
5. 小型化封装:采用 DPAK 表面贴装封装,不仅节省空间,还提升了 PCB 设计灵活性。
FDPF3N50NZ 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,用于计算机、通信设备和工业控制。
2. 电机驱动:
在家用电器、电动工具和工业自动化中的无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 能量管理:
太阳能逆变器、电池管理系统 (BMS) 和不间断电源 (UPS)。
4. 保护电路:
过流保护、短路保护和负载开关等电路中。
FDZ11N50,
FDPF3N50,
IRF540