您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDPF3N50NZ

FDPF3N50NZ 发布时间 时间:2025/6/6 16:54:38 查看 阅读:4

FDPF3N50NZ 是一款由 Fairchild(现隶属于 ON Semiconductor)生产的 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高频和高效率的电力电子应用。
  这款 MOSFET 的额定电压为 500V,使其能够承受较高的反向电压,同时其封装形式为 DPAK (TO-263),适合表面贴装工艺,从而简化了电路板设计并提高了系统的可靠性。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:3.7A
  导通电阻:4.5Ω
  栅极电荷:15nC
  总电容:28pF
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃

特性

FDPF3N50NZ 提供了出色的电气性能和可靠性:
  1. 高击穿电压:该器件可承受高达 500V 的漏源电压,适用于高压应用环境。
  2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为 4.5Ω,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关能力:低栅极电荷和输出电荷的设计使其具备快速开关特性,非常适合高频开关电源、DC-DC 转换器等应用。
  4. 热稳定性强:支持的工作结温范围从 -55℃ 到 150℃,能够在极端温度条件下保持稳定性能。
  5. 小型化封装:采用 DPAK 表面贴装封装,不仅节省空间,还提升了 PCB 设计灵活性。

应用

FDPF3N50NZ 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):
   包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,用于计算机、通信设备和工业控制。
  2. 电机驱动:
   在家用电器、电动工具和工业自动化中的无刷直流电机 (BLDC) 控制。
  3. 能量管理:
   太阳能逆变器、电池管理系统 (BMS) 和不间断电源 (UPS)。
  4. 保护电路:
   过流保护、短路保护和负载开关等电路中。

替代型号

FDZ11N50,
  FDPF3N50,
  IRF540

FDPF3N50NZ推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FDPF3N50NZ资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FDPF3N50NZ参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET-II™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 欧姆 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds280pF @ 25V
  • 功率 - 最大27W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 包装管件