时间：2025/8/22 6:10:13
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BAW56-TP是一款由Nexperia（原Philips Semiconductor）制造的双通道N沟道增强型MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用TSSOP（Thin Small Outline Package）封装，适用于需要低导通电阻和高开关速度的场合。
类型：N沟道MOSFET
工作电压：最大20V（VDS）
最大连续漏极电流：1.8A（ID）
导通电阻：最大0.15Ω（RDS(on)）
栅极电压：±8V（VGS）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSSOP
BAW56-TP具有低导通电阻，这使得它在导通状态下能够保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。
此外，该MOSFET的高开关速度有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
其双通道设计允许在单个封装中实现两个独立的MOSFET器件，节省了电路板空间并简化了设计。
由于其TSSOP封装具有较小的体积和良好的热性能，因此特别适合于空间受限的便携式设备和高密度电路设计。
该器件还具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在各种环境条件下稳定工作。
BAW56-TP常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备、便携式电子产品以及需要高效能和小尺寸封装的嵌入式系统中。
其低导通电阻和高开关速度使其在开关电源（SMPS）和电机控制电路中表现出色。
此外，该MOSFET也适用于各种类型的电压调节和电流控制应用。
由于其双通道特性，BAW56-TP可以在需要并行操作或冗余设计的系统中提供灵活的解决方案。
Si2302DS, BSS138, 2N7002, FDN335N
