KTK211-GR 时间：2025/12/28 14:36:31 阅读：8

KTK211-GR是一款由KEC Corporation（现为KEC Semiconductor）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率开关应用。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻和高电流处理能力，广泛用于电源管理、电机控制和DC-DC转换器等场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

KTK211-GR具备出色的热稳定性和高耐压能力，适合在恶劣环境下工作。
　　其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和过载保护特性，增强了器件的可靠性。
　　此外，KTK211-GR的封装设计有利于散热，使得在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，降低了开关损耗并提高了响应速度。

应用

KTK211-GR常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器和逆变器等电力电子设备中。
　　此外，它还可用于工业自动化控制系统、电动车电源管理、LED照明驱动电路以及各种高功率开关应用。
　　由于其高可靠性和耐久性，KTK211-GR也广泛应用于家电控制电路、工业电机控制和自动化设备中。