时间：2025/9/1 17:55:20
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IS43DR16320D-3DBLI-TR 是一颗由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高速SRAM类别，具有低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备以及嵌入式系统等领域。该芯片采用CMOS工艺制造，支持异步操作，具有较大的存储容量和较快的访问速度。
容量：512K × 16位
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间（tRC）：10ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54引脚 TSOP
输入/输出电平：兼容TTL和CMOS
最大工作频率：100MHz
待机电流：最大5mA
封装尺寸：8mm × 14mm
IS43DR16320D-3DBLI-TR 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片，其主要特性包括高速访问时间和宽泛的工作电压范围。该芯片支持2.3V至3.6V的供电电压，使其适用于多种电源环境，同时具备较低的功耗特性，适合对能耗敏感的应用场景。
其访问时间仅为10ns，意味着该SRAM可以在100MHz的频率下稳定运行，满足高速数据存取需求。此外，该芯片的待机电流极低，最大仅为5mA，使得其在低功耗系统中表现优异。
采用CMOS工艺制造，确保了器件的高稳定性和抗干扰能力。其异步接口设计简化了与微控制器或FPGA等主控器件的连接，无需外部时钟同步控制，提高了系统的灵活性和易用性。
IS43DR16320D-3DBLI-TR 还具备高可靠性，在-40°C至+85°C的工业级温度范围内正常工作，适合工业控制、通信设备等严苛环境下的应用。封装形式为54引脚TSOP，体积小巧，便于PCB布局和集成。
IS43DR16320D-3DBLI-TR 主要应用于需要高速数据存储和快速访问的嵌入式系统中，例如通信设备中的数据缓存、网络交换设备的临时存储器、工业自动化控制系统的数据缓冲器等。此外，它也可用于医疗设备、测试仪器、视频处理系统和FPGA/CPLD的外围存储扩展。
由于其低功耗和宽温特性，该芯片非常适合用于户外设备、车载电子系统以及电力供应受限的远程终端设备中。在嵌入式图像处理和数据采集系统中，该SRAM芯片能够提供高效的缓存支持，确保系统的稳定性和实时性。
IS42S16400J-6T, CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V433S16PFGI, IS43LV16320D-6BLI-TR
