IS43DR16320D-3DBL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)。该器件属于异步DRAM芯片,具有低功耗、高性能的特性,适用于需要大容量存储但对功耗有严格要求的应用场景。该型号的封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适合于嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等多种应用。
容量:512Mb
组织结构:16位×32M
工作电压:2.3V - 3.6V
访问时间:5.4ns(最大)
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:-40°C至+85°C
IS43DR16320D-3DBL是一款高性能异步DRAM,具有出色的访问速度和较低的功耗。该器件的工作电压范围为2.3V至3.6V,提供了广泛的电源适应能力,使其能够在多种电源条件下稳定运行。其访问时间最大为5.4ns,能够满足高速数据读写的需求。该芯片的组织结构为16位×32M,使得数据的并行处理更加高效。
此外,IS43DR16320D-3DBL采用TSOP封装技术,具有较薄的外形和较小的封装尺寸,适用于对空间有严格限制的设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性,非常适合工业级应用。该DRAM芯片还具有良好的抗干扰能力和较高的集成度,有助于减少电路板上的空间占用和功耗,提高系统的整体性能。
IS43DR16320D-3DBL广泛应用于各种嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信设备以及视频处理设备中。由于其高速度和低功耗的特性,特别适用于需要临时数据存储的场合,如图像缓冲、数据缓存、实时数据处理等场景。此外,该器件也常用于便携式设备和汽车电子系统中,以满足对可靠性和性能的高要求。
IS43LV16320B-3DBL, IS43DR16320B-3DBL, CY7C1041CV33, IS42S16320B-3BLI