时间：2025/9/1 11:10:58
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IS43DR16320C-3DBLI-TR 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）生产的高速、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于异步或同步DRAM系列。该芯片广泛应用于需要中等容量存储和较高数据访问速度的系统中，例如工业控制设备、网络设备、嵌入式系统等。该芯片采用标准的封装和引脚定义，便于集成到各种设计中。
容量：512Mb
组织结构：16M x32
电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
接口类型：并行
最大访问时间：3.5ns
封装引脚数：54-pin
IS43DR16320C-3DBLI-TR是一款性能可靠的DRAM芯片，其主要特性包括低功耗设计和宽电压范围，适用于多种工作环境。该芯片支持高速访问，最大访问时间仅为3.5ns，确保了系统运行的高效性。此外，其宽温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于工业级应用，能够在较为恶劣的环境下稳定工作。
该芯片采用54引脚TSOP封装，节省空间并提高可靠性，适用于高密度PCB设计。其并行接口支持快速数据传输，适合需要实时处理的系统。此外，IS43DR16320C-3DBLI-TR具有良好的数据保持能力，在低功耗模式下仍能保持数据完整性，有助于延长设备的电池寿命或降低整体能耗。
此DRAM芯片还具备较强的抗干扰能力和稳定性，适用于对可靠性要求较高的工业、通信和消费类电子产品。ISSI提供的技术支持和丰富的数据手册资源，使得该芯片在开发和调试过程中更加方便易用。
IS43DR16320C-3DBLI-TR 常用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统、工业控制器、网络交换设备、图像处理模块、手持设备以及通信设备。在这些应用中，该芯片能够提供快速的数据存取能力，确保系统高效稳定运行。例如，在视频采集和处理系统中，该芯片可用于临时存储图像数据；在工业控制设备中，可用于缓存运行时数据；在网络设备中，可用于数据包缓冲和路由表存储。
IS43DR16320D-3DBLI-TR, IS43DR16320B-3DBLI-TR
