时间：2025/9/1 8:59:45
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IS43DR16320B-25EBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）。这款芯片设计用于需要高速数据访问和可靠存储的应用场景，具有较大的存储容量和较低的功耗。IS43DR16320B-25EBLI 采用32Mbit（16-bit x 2M）的组织架构，适用于嵌入式系统、工业控制、通信设备和消费类电子产品。
容量：32Mbit
组织架构：16-bit x 2M
电源电压：3.3V
访问时间：25ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
IS43DR16320B-25EBLI 提供了高速的数据访问能力，其访问时间仅为25ns，能够满足高性能系统的需求。该芯片支持异步操作，允许在没有时钟信号的情况下进行数据读写操作，提高了系统的灵活性。此外，该SRAM芯片采用了低功耗设计，在保证性能的同时，有效降低了系统功耗，延长了设备的使用时间。
为了适应不同的应用环境，IS43DR16320B-25EBLI 提供了宽广的工作温度范围，从-40°C到+85°C，确保了其在工业级温度条件下的稳定运行。该芯片的TSOP封装设计有助于减少PCB空间占用，并提高集成度。此外，它还具备良好的抗干扰能力和可靠性，适用于对数据完整性要求较高的应用场合。
IS43DR16320B-25EBLI 广泛应用于嵌入式系统、工业自动化控制、网络通信设备、消费类电子产品以及需要高速缓存和临时数据存储的各种电子设备中。由于其高速存取和低功耗特性，特别适合用于图像处理、数据缓冲和实时控制等场景。
IS43DR16320B-25HBLI, CY62157EV30LL-25B, IDT71V124SA25PFG
