IS43DR16160A-3DBL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的DRAM芯片,属于异步DRAM类别。该器件具有16位数据宽度和16MB的存储容量,广泛用于需要中等存储容量和高性能数据存储的电子系统中。该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗和较高的稳定性,适用于工业级温度范围。IS43DR16160A-3DBL采用54-TSOP封装形式,便于在各类电路板上安装和使用。
容量:16MB
数据总线宽度:16位
封装类型:TSOP
封装引脚数:54
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
工作电压:3.3V
访问时间:5.4ns
刷新方式:自动刷新
时钟频率:异步
IS43DR16160A-3DBL具备高性能异步DRAM架构,适用于需要快速数据访问的嵌入式系统和工业控制设备。该芯片支持异步操作,无需外部时钟信号,简化了系统设计。此外,该器件具备低功耗CMOS工艺优势,能够在高频率操作下保持较低的能耗。芯片内部集成刷新电路,支持自动刷新模式,减少外部控制器的负担,提高系统稳定性。其54-TSOP封装形式提供良好的散热性能和机械稳定性,适用于严苛的工业环境。此外,IS43DR16160A-3DBL具备较高的数据保持能力和抗干扰能力,确保数据在复杂电磁环境下的可靠性。
IS43DR16160A-3DBL广泛应用于工业控制设备、网络通信设备、嵌入式系统、测试仪器以及消费类电子产品中,特别是在需要中等容量高速存储的场合。该芯片适用于图形处理、数据缓存、固件存储等场景。由于其异步接口的灵活性,该芯片也常用于老式嵌入式平台和需要兼容传统SRAM接口的设计中。
IS43DR16160A-3DBL可替代的型号包括IS43DR16320B-3DBL和IS43DR16160A-3BSL。此外,对于需要更大容量的系统,可以考虑使用IS43DR16320B-3.3BL或IS43DR16640A-3DBL等型号。