IS43DR16160A-37CBL-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗、CMOS动态随机存取存储器(DRAM),具体属于同步动态随机存取存储器(SDRAM)类别。该芯片的容量为256Mb(megabits),组织结构为16M x16(即每个地址有16位数据宽度),适用于需要中等存储容量和高性能数据存取的电子设备。IS43DR16160A-37CBL-TR采用小型化的BGA(Ball Grid Array)封装形式,便于在现代高密度电路板上使用。这款SDRAM的工作电压通常为2.3V至3.6V,具有较高的数据传输速率和稳定性,适合在各种工业和商业应用中使用。
容量:256Mb
组织结构:16M x16
封装类型:BGA
工作电压:2.3V - 3.6V
访问时间:3.7ns(最大)
接口类型:异步(Asynchronous)
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
IS43DR16160A-37CBL-TR 是一款高性能的异步SRAM芯片,具备高速访问时间和低功耗特性,适用于多种嵌入式系统和实时数据处理场景。该芯片的异步接口设计使其能够与多种主控设备兼容,无需严格的时钟同步控制,简化了系统设计。其256Mb的存储容量和16位数据总线宽度,使其能够在单次访问中传输更多数据,提高数据吞吐率。此外,该芯片支持多种低功耗模式,如待机模式和深度掉电模式,在不使用时可有效降低功耗,适用于对功耗敏感的应用,如便携式设备和电池供电系统。
IS43DR16160A-37CBL-TR的另一个显著特性是其宽电压范围支持,可在2.3V至3.6V之间稳定工作,使其适应不同电源管理系统的设计需求。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保了在各种恶劣环境条件下的稳定运行,适用于工业自动化、通信设备和车载电子系统。此外,该芯片采用BGA封装技术,具有良好的热性能和电气性能,适合高密度PCB布局,并提高了长期可靠性和耐用性。
IS43DR16160A-37CBL-TR 主要用于需要高速存储和中等容量的嵌入式系统和工业设备。常见的应用包括网络设备、工业控制器、测试测量仪器、医疗设备、通信模块以及高性能数据采集系统。由于其异步接口和低功耗模式,该芯片也适用于便携式设备和需要实时数据处理的应用场景。此外,该芯片还适合用于需要数据缓冲和高速缓存的场合,如图像处理模块、音频视频传输系统和嵌入式操作系统运行环境。
IS43DR16160A-37CBL-TR的替代型号包括ISSI的IS43LV16160A-37CBL-TR(低电压版本)以及类似的256Mb异步SRAM芯片,如Cypress Semiconductor的CY7C1360KV18-375BZXC和Alliance Memory的AS7C316160B-37BCBTR。