时间：2025/7/14 16:41:22
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2N7002-01 是一种常见的增强型 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电路和放大电路中。该器件采用小功率封装，适合用于逻辑电平控制的负载开关、电源管理和信号路由等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流 (ID)：最大115mA
漏源电压 (VDS)：最大60V
栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：约5Ω（典型值）
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2N7002-01 MOSFET 具有良好的导通特性和快速开关性能，适用于高频应用。其低输入电容和跨导特性使其在数字电路中表现优异。
此外，该器件具有较高的热稳定性和抗静电能力，能够在多种环境条件下可靠工作。
由于其小型化封装和高性能，2N7002-01 在消费电子、工业控制和通信设备中被广泛使用。
2N7002-01 常用于以下应用场景：
1. 数字电路中的负载开关控制；
2. 低功率电源管理电路；
3. 信号路由和多路复用电路；
4. LED 驱动和继电器替代方案；
5. 电池供电设备中的节能开关设计。
2N7000, BSS138, 2N7002K, FDN337N
