IR3C14N1 时间：2025/8/28 0:34:19 阅读：9

IR3C14N1是一种常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件由国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）生产，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及各种开关电源电路。IR3C14N1采用TO-220封装，适合通孔安装，具备良好的散热性能和电流承载能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.027Ω（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-220
　　栅极电荷（Qg）：170nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1900pF（典型值）

特性

IR3C14N1是一款性能优异的功率MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和快速开关响应。该器件的Rds(on)典型值为0.027Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。在连续漏极电流方面，IR3C14N1可在25℃环境温度下承受高达50A的电流，适用于高功率应用场景。此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）为170nC，输入电容（Ciss）为1900pF，这使得其在高频开关电路中表现出色，适用于开关电源、同步整流和DC-DC转换器等应用。
　　IR3C14N1采用TO-220封装，具备良好的散热能力，适合在高温环境下工作。其工作温度范围为-55℃至175℃，具有较强的环境适应性。此外，该MOSFET的栅源电压为±20V，允许较高的驱动电压，从而提高导通速度并降低开关损耗。在可靠性方面，IR3C14N1具备较强的雪崩能量承受能力，可有效防止因电压尖峰导致的损坏，提升系统的稳定性与安全性。

应用

IR3C14N1广泛应用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、工业自动化设备和消费类电子产品。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于高效率和高功率密度的电源设计。在电机控制和功率开关应用中，IR3C14N1能够提供快速响应和稳定的性能，同时具备良好的热稳定性和过载能力，适用于长时间运行的工业设备和车载电子系统。