时间：2025/9/1 15:14:23
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IS43DR16128B-3DBL-TR 是一颗由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于异步SRAM兼容的DRAM产品系列。该器件采用16位数据总线宽度，容量为256Mb（16M x16），工作电压为3.3V，适用于多种嵌入式系统和工业控制应用。
存储容量：256Mb（16M x16）
存储类型：DRAM
数据总线宽度：16位
工作电压：3.3V
封装类型：TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装引脚数：54
封装尺寸：54-TSOP
访问时间：3.5ns
读取电流：120mA（典型值）
待机电流：10mA（典型值）
IS43DR16128B-3DBL-TR 具备高速访问时间和低功耗设计，适合在对性能和能耗都有要求的应用场景中使用。其TSOP封装形式有助于提高PCB布局的紧凑性，并增强散热性能。
该芯片支持异步SRAM接口模式，兼容多种主控器，能够方便地集成到现有系统中。其工业级温度范围确保在恶劣环境下的稳定运行。
此外，IS43DR16128B-3DBL-TR 在设计上优化了读取和写入操作的稳定性，具有良好的抗干扰能力，并支持自动刷新和自刷新功能，确保数据长时间保存。
由于其高性能与低功耗的结合，该芯片适用于嵌入式系统、网络设备、工业控制设备以及消费类电子产品等。
该芯片广泛应用于需要大容量存储和高速存取的场合，如嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络路由器和交换机、医疗设备、视频采集与显示设备等。
在工业控制领域，该芯片可作为主控芯片的外部高速缓存，提升系统处理能力；在网络设备中，可用于存储临时数据包或缓存表项；在消费类电子产品中，适合用于图像处理、多媒体存储等任务。
IS43DR16320B-3DBL-TR, IS43DR16128B-3DBL-I, IS43DR16128B-3DBL-E
