您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS43DR16128A-3DBLI

IS43DR16128A-3DBLI 发布时间 时间:2025/8/21 10:45:03 查看 阅读:4

IS43DR16128A-3DBLI 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步DRAM类别。该型号的存储容量为256K x 16位,总容量为4MB,适用于需要快速数据存取的电子系统,如网络设备、工业控制、通信模块和嵌入式系统等。IS43DR16128A-3DBLI采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗、高可靠性和良好的稳定性。

参数

存储容量:256K x 16位
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  工作电压:3.3V
  访问时间:10ns
  封装引脚数:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:并行接口
  数据速率:100MHz

特性

IS43DR16128A-3DBLI 是一款高性能的异步DRAM芯片,具有较快的访问时间(10ns),适合对数据访问速度有一定要求的应用场景。其采用低电压(3.3V)供电,有效降低了功耗,同时提高了芯片的稳定性与可靠性。该芯片的封装形式为TSOP,具有较小的体积,便于在空间受限的电路板上布局。
  此外,IS43DR16128A-3DBLI 支持宽温度范围(-40°C至+85°C),适合在工业环境和高可靠性要求的系统中使用。其并行接口设计允许直接与多种微处理器和控制器连接,简化了系统设计并提高了兼容性。
  由于其良好的性能和稳定性,IS43DR16128A-3DBLI 被广泛应用于路由器、交换机、视频采集系统、工业控制设备、医疗仪器等领域。

应用

IS43DR16128A-3DBLI 常用于需要大容量数据缓存和高速存取的电子系统中。典型应用包括网络设备(如路由器和交换机)、工业控制系统、嵌入式系统、视频采集与处理设备、医疗仪器、测试设备等。其低功耗和宽温度范围使其非常适合在环境条件较为苛刻的工业和通信设备中使用。

替代型号

IS42S16100A-6T、IS42S16400A-6T、CY7C1041CV33-10ZSXI、IS43LS16256A-6BL

IS43DR16128A-3DBLI推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS43DR16128A-3DBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-LFBGA
  • 供应商器件封装84-LFBGA(10.5x13.5)