HUF75331P3是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的Trench沟槽工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适用于高效率电源管理系统和功率开关应用。该器件采用DPAK(TO-252)封装形式,具备良好的热性能和电气性能,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
漏极连续电流(ID):110A
导通电阻(RDS(on)):3.3mΩ(典型值,VGS=10V)
功耗(PD):160W
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:DPAK(TO-252AD)
HUF75331P3采用先进的Trench沟槽MOSFET技术,具有极低的导通电阻(RDS(on)),从而显著降低导通损耗,提高系统效率。其低栅极电荷(Qg)特性有助于减少开关损耗,适用于高频开关应用。此外,该器件具有高电流承载能力和优异的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行。
该MOSFET具有良好的雪崩能量耐受能力,能够承受瞬态过压和过流冲击,提高系统的可靠性和耐用性。其封装形式为DPAK(TO-252AD),具有良好的散热性能,适用于表面贴装(SMT)工艺,便于在PCB上安装和散热设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽(通常为4.5V至20V),兼容多种驱动电路,适用于多种电源管理拓扑结构,如同步整流、Buck/Boost转换器、H桥电机驱动等。同时,其快速开关特性有助于提高电源系统的响应速度和效率。
HUF75331P3广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中,包括但不限于:同步整流型DC-DC转换器、高效率电源适配器、服务器和电信设备的电源模块、电机驱动与控制电路、电池管理系统(BMS)、车载电源系统、LED照明驱动器以及工业自动化和控制设备中的功率开关单元。
Si7410DP-T1-GE3, IRF1404ZPBF, FDP6670, NVTFS5C471NLWTAG