时间：2025/8/25 6:13:06
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HUF75331P3是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的Trench沟槽工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于高效率电源管理系统和功率开关应用。该器件采用DPAK（TO-252）封装形式，具备良好的热性能和电气性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极连续电流（ID）：110A
导通电阻（RDS(on)）：3.3mΩ（典型值，VGS=10V）
功耗（PD）：160W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：DPAK（TO-252AD）
HUF75331P3采用先进的Trench沟槽MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低导通损耗，提高系统效率。其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。此外，该器件具有高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
该MOSFET具有良好的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过压和过流冲击，提高系统的可靠性和耐用性。其封装形式为DPAK（TO-252AD），具有良好的散热性能，适用于表面贴装（SMT）工艺，便于在PCB上安装和散热设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），兼容多种驱动电路，适用于多种电源管理拓扑结构，如同步整流、Buck/Boost转换器、H桥电机驱动等。同时，其快速开关特性有助于提高电源系统的响应速度和效率。
HUF75331P3广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中，包括但不限于：同步整流型DC-DC转换器、高效率电源适配器、服务器和电信设备的电源模块、电机驱动与控制电路、电池管理系统（BMS）、车载电源系统、LED照明驱动器以及工业自动化和控制设备中的功率开关单元。
Si7410DP-T1-GE3, IRF1404ZPBF, FDP6670, NVTFS5C471NLWTAG
