时间：2025/9/1 19:09:39
阅读：17
IS42VM16160K-75BLI-TR 是一颗由Integrated Silicon Solution（ISSI）制造的高速、低功耗的16位×16M的CMOS动态随机存取存储器（DRAM）。该芯片基于标准的DRAM架构，适用于需要高密度和高性能的系统设计，例如网络设备、通信设备、工业控制和嵌入式应用等。该器件采用54MHz的工作频率，支持标准的异步和同步模式，并具有灵活的读写控制和数据访问功能。
容量：256Mbit
组织方式：16位 × 16M
电源电压：3.3V
封装：54-pin TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
访问时间：7.5ns
工作频率：54MHz
接口类型：并行接口
工作模式：异步和同步模式
封装类型：TSOP
RoHS合规性：符合
IS42VM16160K-75BLI-TR 作为一款高性能的DRAM芯片，具备多项显著特性。首先，它具有256Mbit的存储容量，采用16位 × 16M的组织结构，适合需要大容量数据缓冲和存储的应用场景。其次，该芯片的工作电压为3.3V，确保了在工业环境下的稳定运行，同时具备较低的功耗特性，适用于对能耗敏感的系统设计。
其封装形式为54-pin TSOP，体积小，便于PCB布局与集成。该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适合在恶劣的环境条件下工作，例如工业控制、车载设备和户外通信设备等。
此外，IS42VM16160K-75BLI-TR 的最大访问时间为7.5ns，支持高达54MHz的工作频率，能够满足高速数据处理的需求。它支持异步和同步两种操作模式，允许系统设计者根据具体需求选择最合适的模式，从而优化系统性能和时序控制。
IS42VM16160K-75BLI-TR 被广泛应用于多种需要高速、低功耗、大容量存储的系统中。例如，它适用于网络通信设备，如路由器和交换机，在其中作为数据缓存使用，以提升数据包处理效率。在工业控制系统中，它可以用于存储临时数据、运行参数和程序缓存，提高系统的响应速度和稳定性。
IS42VM16160C-75BLI-TR, IS42VM16160K-6BLI-TR, CY7C1372B-133BZC, IDT71V416S08YG
