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IS42S81600D-7TLI 发布时间 时间:2025/9/1 8:50:38 查看 阅读:7

IS42S81600D-7TLI 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的高性能、低功耗的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于高速同步动态随机存取存储器(Sync DRAM)类别。该型号的存储容量为16Mbit,组织形式为81600,工作电压为3.3V,适用于需要高速数据存取的嵌入式系统和通信设备。

参数

容量:16Mbit
  组织形式:81600(即 8M x 16)
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  最大访问时间:7ns(对应频率约为143MHz)
  封装引脚数:54
  工作模式:同步模式
  数据输出方式:并行输出

特性

IS42S81600D-7TLI 芯片具有低功耗设计,适用于需要高稳定性和高性能的工业和通信应用。其同步操作模式允许与系统时钟同步进行数据读写,提高了数据传输效率和系统的整体性能。
  该芯片支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在长时间运行中保持稳定。其TSOP封装形式不仅减小了PCB占用空间,还提高了散热性能和电气性能。
  此外,IS42S81600D-7TLI 提供了宽温度范围支持,确保其在各种工业环境下都能稳定运行。其高速访问时间(7ns)使其适用于高速缓存、图形处理器、网络交换设备等对速度要求较高的应用场合。

应用

IS42S81600D-7TLI 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信基础设施设备、网络路由器和交换机、视频处理系统、图像采集设备以及任何需要高速、低功耗DRAM存储解决方案的场合。

替代型号

IS42S81600G-7TLLI, IS42S81600F-7TLI, IS42S16800D-7TLI, MT48LC16M16A2B4-6A, CY7C1362B-133AXC

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IS42S81600D-7TLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度8 bit
  • 封装 / 箱体TSOP-54
  • 存储容量128 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间6.5 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流120 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量108