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IS42S32400E-6TLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:46:54 查看 阅读:19

IS42S32400E-6TLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)。该器件属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别,采用Synchronous架构,具备高速数据存取能力和低功耗特性。该型号属于32M x 4位组织结构的DRAM芯片,适用于需要中等容量存储和高性能数据处理的应用场景。

参数

容量:128Mbit
  组织结构:32M x 4
  工作电压:2.3V - 3.6V
  最大频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:Parallel SDRAM

特性

IS42S32400E-6TLI-TR具有多项高性能特性,包括同步接口设计,确保与主控系统的高速数据同步传输;低功耗CMOS工艺,支持在多种电源环境下稳定运行。该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,有助于降低系统功耗并延长数据保持时间。此外,其高速访问时间(5.4ns)使得该芯片适用于对响应时间要求较高的嵌入式系统和通信设备。
  该型号还具有良好的温度适应性,能够在-40°C至+85°C的宽温范围内正常工作,适合工业级应用环境。TSOP封装形式有助于减小PCB板的占用空间,并提供良好的热性能和电气性能。该芯片还具备多种工作模式,如突发模式(Burst Mode)和预充电模式(Precharge Mode),进一步提升了其灵活性和应用适应性。

应用

IS42S32400E-6TLI-TR广泛应用于各种需要高性能存储的电子系统中。常见的应用包括工业控制设备、网络通信设备、视频采集与处理系统、嵌入式系统、医疗设备和汽车电子系统。由于其高速存取能力和低功耗设计,特别适用于需要快速数据缓冲和临时存储的场景,例如图像缓存、数据采集与传输、实时控制系统等。在工业和汽车应用中,该芯片的宽温范围和高可靠性使其成为理想选择。

替代型号

IS42S32400F-6TLI-TR, IS42S32400J-6TLI-TR

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IS42S32400E-6TLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度32 bit
  • 封装 / 箱体TSOP-86
  • 存储容量128 Mbit
  • 最大时钟频率166 MHz
  • 访问时间6.5 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流180 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量1500