时间：2025/9/1 12:40:22
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IS42S16800E-75TL是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）生产的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM），属于异步DRAM类别，具有16M x 8/4M x 16的组织结构。该芯片采用同步接口设计，工作频率可达166MHz，适用于需要高速数据存取的场合。IS42S16800E-75TL采用TQFP封装，适用于工业级温度范围，具有较高的可靠性和稳定性。
容量：128Mb
组织结构：16M x 8 / 4M x 16
封装类型：TQFP
工作温度范围：-40°C至+85°C
工作电压：3.3V
访问时间：7.5ns
最大频率：166MHz
接口类型：同步DRAM接口
IS42S16800E-75TL具有高速访问能力，访问时间仅为7.5ns，支持高达166MHz的工作频率，适合需要快速数据读写的应用场景。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗特性，同时在高速工作时仍能保持良好的稳定性。其TQFP封装设计便于表面贴装，适用于紧凑型电路板布局。此外，该DRAM芯片支持多种数据宽度配置（8位或16位），提高了其在不同系统设计中的灵活性。芯片内部集成同步控制逻辑，简化了外部控制器的设计要求。IS42S16800E-75TL广泛应用于通信设备、工业控制、嵌入式系统以及网络设备等领域。
IS42S16800E-75TL广泛应用于需要高性能DRAM存储的设备中，如工业控制计算机、通信设备、路由器和交换机、视频处理系统、嵌入式控制系统以及测试测量仪器等。由于其高速、低功耗和高可靠性，该芯片也适用于自动化设备和智能终端产品中的临时数据存储需求。
IS42S16800F-75TL, IS42S16800G-75TL
