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IS42S16800E-75ETL-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:54:32 查看 阅读:27

IS42S16800E-75ETL-TR是一款由Integrated Silicon Solution(ISSI)公司制造的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)。该芯片属于同步DRAM(Synchronous DRAM)类别,具有16M x 8/16M x 16的存储结构,适用于需要高性能和低功耗的系统应用。该芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装,适用于工业级温度范围,具备较高的可靠性和稳定性。

参数

类型:DRAM
  容量:16M x 8/16M x 16(128Mb)
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度:-40°C至+85°C
  访问时间:7.5ns
  接口:Synchronous
  数据宽度:8位或16位
  时钟频率:最高166MHz

特性

IS42S16800E-75ETL-TR具备多种高性能特性,包括高速同步接口,支持最大166MHz的时钟频率,访问时间仅为7.5ns,能够满足高速数据处理的需求。该芯片采用CMOS工艺制造,具备低功耗特性,在保持高性能的同时降低了整体功耗。此外,其支持自动刷新和自刷新模式,有助于在不同工作环境下保持数据的稳定性。
  该芯片的存储结构为16M x 8或16M x 16,提供128Mb的存储容量,适合用于嵌入式系统、网络设备、工业控制设备和通信设备等对存储性能要求较高的应用场合。其TSOP封装形式不仅节省空间,而且便于在PCB上布局,提高系统的集成度。
  此外,IS42S16800E-75ETL-TR符合RoHS标准,支持环保应用,同时具备较强的抗干扰能力,确保在复杂电磁环境下仍能稳定运行。

应用

该芯片广泛应用于需要高性能、低功耗和高稳定性的系统中。例如,在通信设备中作为高速缓存或数据缓冲存储器,用于提高数据传输效率;在网络设备如路由器和交换机中用于临时存储数据包;在嵌入式系统中作为主存储器或图形存储器使用;在工业控制设备中用于实时数据处理和存储;以及在消费类电子产品如高端多媒体设备和智能家电中提供额外的存储扩展能力。

替代型号

IS42S16800F-75ETL-TR, IS42S16800G-75ETL-TR, MT48LC16M16A2B4-6A

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IS42S16800E-75ETL-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度8 bit
  • 封装 / 箱体TSSOP-54
  • 存储容量128 Mbit
  • 最大时钟频率133 MHz
  • 访问时间5.5 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流130 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量1500