型号：ADN2814ACPZ
　　制造商：Analog Devices
　　类型：跨阻放大器（TIA）
　　供电电压：3.0V 至 3.6V
　　典型工作电压：3.3V
　　静态电流：约 45mA
　　带宽：≥ 7GHz
　　跨阻增益：约 7kΩ 至 8kΩ
　　输入偏置电流：典型值 100nA
　　噪声电流密度：约 5pA/√Hz
　　输出电压摆幅：> 150mVpp
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：16引脚 LFCSP（3mm × 3mm）
　　接口类型：差分输出
　　是否集成AGC：是
　　关断功能：支持
　　兼容标准：适用于SONET/SDH、Ethernet等光通信协议

ADN2814ACPZ的核心特性之一是其高带宽与高跨阻增益的结合，使其能够在10Gbps数据速率下实现高效、低失真的光电流到电压转换。其典型带宽超过7GHz，确保了对高速脉冲信号的良好响应能力，适用于OC-192/STM-64等高速光通信标准。该芯片采用优化的SiGe双极型工艺，不仅提升了高频性能，还增强了温度稳定性和长期可靠性，避免因环境变化导致的增益漂移问题。其跨阻增益典型值在7kΩ至8kΩ之间，能够在保持高灵敏度的同时抑制过载风险，适应从-30dBm到-10dBm的宽输入光功率范围。
　　另一个关键特性是内置的自动增益控制（AGC）和输出幅度调节机制。ADN2814ACPZ通过反馈环路动态调整内部增益，使输出信号幅度保持恒定，无论输入光强如何变化，从而简化了后续限幅放大器或时钟数据恢复（CDR）电路的设计难度。这一功能特别适用于长距离传输或多跳网络中光功率波动较大的场景。同时，芯片支持外部控制引脚进行增益微调或进入低功耗关断模式，在系统休眠时可将电流消耗降至几毫安级别，显著提升整体能效。
　　ADN2814ACPZ具有优异的噪声性能，输入参考噪声电流密度约为5pA/√Hz，这直接决定了系统的最小可探测光功率（MDS），有助于提高接收机灵敏度。其差分电压输出结构有利于抑制共模干扰，并便于与差分信号处理电路（如LVDS接口）对接。器件还具备良好的输入保护机制，防止光电二极管反向偏压异常或静电放电（ESD）造成的损坏。所有这些特性使得ADN2814ACPZ成为高端光模块设计中首选的前端TIA解决方案之一。

ADN2814ACPZ主要应用于各类高速光通信接收模块中，尤其是在需要高灵敏度和宽动态范围的场合。典型应用包括10Gbps以太网（10GbE）光模块，如SFP+、XFP等可插拔收发器，用于数据中心、城域网和企业级交换机之间的高速互连。它也广泛用于同步光网络（SONET）和同步数字体系（SDH）系统中，满足OC-192/STM-64标准下的信号接收需求。此外，在光纤到户（FTTH）、无源光网络（PON）以及电信级骨干网设备中，ADN2814ACPZ作为前置放大器，配合APD（雪崩光电二极管）或PIN光电二极管使用，能够有效提升光接收机的整体性能。
　　该器件同样适用于测试与测量仪器中的光信号采集前端，例如光示波器、误码率测试仪（BERT）等设备，因其稳定的增益响应和低噪声特性，有助于提高测试精度。在一些工业级高速数据链路或航空航天通信系统中，ADN2814ACPZ凭借其宽温工作范围（-40°C至+85°C）和高可靠性，也成为理想的信号调理选择。随着5G前传和中传网络对低成本、高性能光模块的需求增长，ADN2814ACPZ也被用于CPRI/eCPRI接口的光收发单元设计中，支持无线基站与分布单元之间的高速连接。

ADN2814BCPZ
　　MAX3808ESA+
　　LMH6521MRX