IS42S16800E-6BL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该型号属于16M x 8(128MB)容量的SDRAM存储器,广泛用于需要大容量内存和高性能数据存取的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费电子产品中。该芯片采用CMOS工艺制造,具有高速时钟频率和低功耗设计,适用于需要高效数据处理的应用场景。
类型:SDRAM
容量:128MB(16M x 8)
工作电压:3.3V
封装类型:TSOP
时钟频率:166MHz
数据宽度:8位
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
IS42S16800E-6BL具有多个关键特性,使其适用于各种高性能系统设计。首先,该芯片支持同步数据传输,能够在系统时钟的上升沿进行数据读写,提高了数据传输的效率和稳定性。其次,它采用了自动刷新和自刷新功能,在低功耗模式下仍能保持数据完整性,适合电池供电设备使用。此外,IS42S16800E-6BL具备突发访问模式,允许连续访问多个存储单元,提升整体系统性能。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了抗干扰能力和散热性能。最后,该芯片支持多种突发长度和突发类型,具有良好的兼容性和灵活性,适用于不同主控器的存储器接口设计。
IS42S16800E-6BL广泛应用于需要中等容量高速存储的嵌入式系统中,例如网络路由器、交换机、数字视频设备、图像处理系统、工业控制面板、手持终端设备等。此外,该芯片也常用于需要长时间运行和稳定数据存储的工业自动化设备和通信设备中。
IS42S16800F-6T