M1570FN 是一款由日本三菱电机(Mitsubishi Electric)生产的功率晶体管,主要用于高功率放大器和工业控制应用。这款晶体管属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类型,具备高耐压和高电流特性,适合在高频开关应用中使用。M1570FN采用TO-247封装形式,具有良好的散热性能,适用于各种工业设备和电源管理系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):15A
最大漏源电压(VDS):900V
最大栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):0.75Ω
最大功耗(PD):150W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-247
M1570FN MOSFET具有优异的电气性能和稳定性,适用于高功率和高频率应用。其高耐压能力(900V)使其在高压系统中表现出色,能够承受较大的电压波动而不影响性能。该器件的导通电阻较低,约为0.75Ω,从而减少了导通损耗,提高了能效。此外,M1570FN具备良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,适合工业级应用要求。
该晶体管的封装形式为TO-247,这种封装方式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,以确保长时间运行时的稳定性。M1570FN的栅极驱动电路设计简单,适用于多种驱动电路,降低了设计复杂度并提高了系统的可靠性。此外,该器件的开关速度快,适用于高频开关电源和逆变器等应用,能够有效减少开关损耗并提高整体效率。
M1570FN 主要应用于高功率电子设备中,如高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器、UPS(不间断电源)、工业电机驱动和变频器等。由于其高耐压和高电流特性,M1570FN也常用于各种工业自动化设备和电力电子系统中。此外,它还可以用于音频功率放大器、电子负载和测试设备等高要求的应用场景。在这些应用中,M1570FN能够提供稳定可靠的性能,满足高效率和高功率密度的需求。
IXFH15N90Q, IRF840, STF15N90K5, FCP15N60F