时间：2025/9/1 13:06:55
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IS42S16800-6T是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗、16M x 8位的CMOS动态随机存取存储器（DRAM）。该芯片采用同步设计，工作频率高达166MHz，适用于需要高性能存储解决方案的工业、通信和消费类电子产品。该器件采用54引脚TSOP封装，支持标准的异步和同步模式操作，具备低功耗待机模式，适用于对功耗敏感的应用场景。
容量：128Mbit
组织结构：16M x 8位
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作电压：3.3V
最大访问时间：5.4ns
最大时钟频率：166MHz
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
IS42S16800-6T具有高速同步操作能力，其最大时钟频率可达166MHz，确保了快速的数据访问和处理能力。该芯片采用CMOS工艺制造，具备低功耗的特点，支持待机模式以进一步降低功耗，非常适合电池供电或对能耗有严格要求的系统。
该DRAM支持异步和同步两种工作模式，用户可以根据系统需求选择合适的操作模式。同步模式下，芯片的读写操作与时钟信号同步，从而提升系统的整体效率。此外，IS42S16800-6T还具备自动刷新和自刷新功能，确保数据在无需外部干预的情况下长时间保持稳定。
该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温或高振动环境下使用。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）也使其适用于各种恶劣工作条件。
IS42S16800-6T广泛应用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、视频处理设备以及消费类电子产品中。例如，它可被用于网络路由器、数字电视、多媒体播放器、安防摄像头以及高端工业控制器等设备中的临时数据存储和缓存。
IS42S16800-6BL, IS42S16800-6FCB
