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IS42S16800-6T 发布时间 时间:2025/9/1 13:06:55 查看 阅读:3

IS42S16800-6T是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗、16M x 8位的CMOS动态随机存取存储器(DRAM)。该芯片采用同步设计,工作频率高达166MHz,适用于需要高性能存储解决方案的工业、通信和消费类电子产品。该器件采用54引脚TSOP封装,支持标准的异步和同步模式操作,具备低功耗待机模式,适用于对功耗敏感的应用场景。

参数

容量:128Mbit
  组织结构:16M x 8位
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作电压:3.3V
  最大访问时间:5.4ns
  最大时钟频率:166MHz
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

IS42S16800-6T具有高速同步操作能力,其最大时钟频率可达166MHz,确保了快速的数据访问和处理能力。该芯片采用CMOS工艺制造,具备低功耗的特点,支持待机模式以进一步降低功耗,非常适合电池供电或对能耗有严格要求的系统。
  该DRAM支持异步和同步两种工作模式,用户可以根据系统需求选择合适的操作模式。同步模式下,芯片的读写操作与时钟信号同步,从而提升系统的整体效率。此外,IS42S16800-6T还具备自动刷新和自刷新功能,确保数据在无需外部干预的情况下长时间保持稳定。
  该芯片采用TSOP封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在高温或高振动环境下使用。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)也使其适用于各种恶劣工作条件。

应用

IS42S16800-6T广泛应用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、视频处理设备以及消费类电子产品中。例如,它可被用于网络路由器、数字电视、多媒体播放器、安防摄像头以及高端工业控制器等设备中的临时数据存储和缓存。

替代型号

IS42S16800-6BL, IS42S16800-6FCB

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