类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.6Ω @ Vgs = 10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220

FQD4P50 MOSFET采用了先进的平面工艺技术，使其在高频开关条件下仍能保持较低的导通损耗。其低Rds(on)特性确保了在高电流工作状态下的能效，同时减少了热生成，提高了系统的可靠性。
　　此外，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，使其在突发电压和电流应力下仍能稳定运行。其10V的栅极驱动电压兼容多数标准MOSFET驱动器，简化了设计和应用过程。
　　封装方面，FQD4P50采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于多种电源管理电路中的功率开关应用。这种封装还支持手工焊接和自动化生产流程，适应性强。
　　在热性能方面，该器件具备良好的热稳定性，其内部结构优化了热量的散发路径，从而降低了工作温度，延长了使用寿命。

FQD4P50主要应用于需要高效功率转换的电路中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统、照明控制系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其良好的高频特性，FQD4P50也适合用于逆变器和不间断电源（UPS）等电力电子设备中，作为主开关或同步整流元件。
　　此外，该器件也可用于高电压负载的开关控制，如电磁阀、继电器和高功率LED照明的驱动电路中，提供快速响应和稳定的电流控制。
　　在汽车电子和工业控制领域，FQD4P50被广泛用于电源管理模块，确保系统在不同负载条件下的高效运行。

FQP4N50, IRF840, 2SK2647, STP4NK50Z