时间：2025/9/1 9:01:32
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IS42S16400J-7B2LI-TR 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的高速、低功耗、CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于高速同步动态随机存取存储器（Synchronous Dynamic Random Access Memory，SDRAM）类别，适用于需要高速数据访问和较大存储容量的电子设备。IS42S16400J-7B2LI-TR 的容量为256Mb，组织形式为16M x16位，支持突发式读写操作，适用于网络设备、通信设备、工业控制系统、消费电子产品等多种应用场景。该芯片的工作温度范围为工业级标准（-40°C 至 +85°C），适合在各种恶劣环境中使用，并且采用无铅封装，符合RoHS环保标准。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16位
类型：同步动态随机存取存储器（SDRAM）
工作电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：7.5ns
最大时钟频率：166MHz
封装类型：54-TSOP（薄型小尺寸封装）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行同步接口
封装尺寸：约8mm x 20mm
功耗：典型工作电流约100mA（视具体使用情况）
IS42S16400J-7B2LI-TR 是一颗高性能、低功耗的同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片，具备多项先进的技术特性，适用于多种嵌入式系统和工业应用。该芯片支持高速同步时钟操作，最大时钟频率可达166MHz，使得数据传输速率大幅提升，适用于高速缓存、帧缓冲、数据暂存等对速度有较高要求的场景。其256Mb的存储容量以16M x 16位的方式组织，能够满足中等规模数据存储的需求，特别适合图像处理、视频缓冲、网络数据包存储等应用。
IS42S16400J-7B2LI-TR 的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有较宽的电源适应能力，适合多种供电环境。其低功耗设计在待机或轻负载状态下能够有效降低功耗，有助于提高设备的能效比。该芯片的54-TSOP封装形式具有良好的热稳定性和机械稳定性，适合工业级应用。此外，该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不增加外部控制负担的情况下保持数据完整性，延长数据保存时间。
该芯片还具备突发访问模式（Burst Mode），支持连续的数据读写操作，提高数据吞吐效率。同时，IS42S16400J-7B2LI-TR 支持多种突发长度（Burst Length）配置，用户可根据具体应用需求灵活调整，提升系统性能。此外，该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的抗干扰能力和稳定性，适合在复杂电磁环境中使用。
IS42S16400J-7B2LI-TR 被广泛应用于各种需要高速、大容量存储的电子设备中，如网络交换机、路由器、工业控制器、通信模块、视频采集与处理设备、图像传感器、嵌入式系统、手持设备、医疗设备、消费电子产品（如数码相机、多媒体播放器）等。由于其高速访问能力和低功耗设计，该芯片特别适合用作高速缓存、帧缓冲、临时数据存储器或主存储器的扩展部分。此外，其工业级温度范围也使其在恶劣环境下仍能稳定运行，因此也常用于车载电子系统、安防监控设备、自动化控制系统等领域。
IS42S16400F-7T
