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IS42S16400J-7B2LI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 9:01:32 查看 阅读:7

IS42S16400J-7B2LI-TR 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的高速、低功耗、CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于高速同步动态随机存取存储器(Synchronous Dynamic Random Access Memory,SDRAM)类别,适用于需要高速数据访问和较大存储容量的电子设备。IS42S16400J-7B2LI-TR 的容量为256Mb,组织形式为16M x16位,支持突发式读写操作,适用于网络设备、通信设备、工业控制系统、消费电子产品等多种应用场景。该芯片的工作温度范围为工业级标准(-40°C 至 +85°C),适合在各种恶劣环境中使用,并且采用无铅封装,符合RoHS环保标准。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x 16位
  类型:同步动态随机存取存储器(SDRAM)
  工作电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:7.5ns
  最大时钟频率:166MHz
  封装类型:54-TSOP(薄型小尺寸封装)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行同步接口
  封装尺寸:约8mm x 20mm
  功耗:典型工作电流约100mA(视具体使用情况)

特性

IS42S16400J-7B2LI-TR 是一颗高性能、低功耗的同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片,具备多项先进的技术特性,适用于多种嵌入式系统和工业应用。该芯片支持高速同步时钟操作,最大时钟频率可达166MHz,使得数据传输速率大幅提升,适用于高速缓存、帧缓冲、数据暂存等对速度有较高要求的场景。其256Mb的存储容量以16M x 16位的方式组织,能够满足中等规模数据存储的需求,特别适合图像处理、视频缓冲、网络数据包存储等应用。
  IS42S16400J-7B2LI-TR 的工作电压范围为2.3V至3.6V,具有较宽的电源适应能力,适合多种供电环境。其低功耗设计在待机或轻负载状态下能够有效降低功耗,有助于提高设备的能效比。该芯片的54-TSOP封装形式具有良好的热稳定性和机械稳定性,适合工业级应用。此外,该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,能够在不增加外部控制负担的情况下保持数据完整性,延长数据保存时间。
  该芯片还具备突发访问模式(Burst Mode),支持连续的数据读写操作,提高数据吞吐效率。同时,IS42S16400J-7B2LI-TR 支持多种突发长度(Burst Length)配置,用户可根据具体应用需求灵活调整,提升系统性能。此外,该芯片采用CMOS工艺制造,具有较高的抗干扰能力和稳定性,适合在复杂电磁环境中使用。

应用

IS42S16400J-7B2LI-TR 被广泛应用于各种需要高速、大容量存储的电子设备中,如网络交换机、路由器、工业控制器、通信模块、视频采集与处理设备、图像传感器、嵌入式系统、手持设备、医疗设备、消费电子产品(如数码相机、多媒体播放器)等。由于其高速访问能力和低功耗设计,该芯片特别适合用作高速缓存、帧缓冲、临时数据存储器或主存储器的扩展部分。此外,其工业级温度范围也使其在恶劣环境下仍能稳定运行,因此也常用于车载电子系统、安防监控设备、自动化控制系统等领域。

替代型号

IS42S16400F-7T

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IS42S16400J-7B2LI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量2500