时间：2025/9/1 9:08:29
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IS42S16400J-6BLI-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，具有16M x 4 x 4 banks的存储结构，采用CMOS工艺制造，适用于需要高速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。该芯片的工作电压为2.3V至3.6V，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于各种工业和通信应用。
容量：256Mb
组织结构：16M x 4 x 4 banks
电压范围：2.3V - 3.6V
工作温度：-40°C至+85°C
封装类型：54-TSOP
访问时间：5.4ns
时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
接口类型：并行
IS42S16400J-6BLI-TR具备高速存取能力，其同步接口设计使其能够与高速处理器或控制器无缝配合使用。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有效降低功耗并提高系统稳定性。其CMOS工艺技术确保了低功耗和高抗干扰能力。
此外，该芯片内置突发模式功能，可提高数据传输效率，适用于需要连续数据流的应用场景。其54-TSOP封装设计便于PCB布局，并具有良好的散热性能，适合在空间受限的环境中使用。
IS42S16400J-6BLI-TR还支持多种工作模式，包括快速写入模式、预充电模式和深度掉电模式，以满足不同应用需求。其高可靠性和稳定性使其成为工业控制、网络设备、通信模块和嵌入式系统的理想选择。
IS42S16400J-6BLI-TR广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统和工业设备。典型应用包括网络交换机、路由器、工业计算机、通信基站、视频采集和处理设备等。此外，该芯片也适用于医疗设备、测试仪器和汽车电子系统，特别是在需要高稳定性和宽温范围工作的场合。
IS42S16400F-6TLL-TR, IS42S16400J-6TLI-TR, CY7C1370B-555BZC, IDT71V124SA90PFG
