类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：5A（在 Tc=100℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：约 2.2Ω（最大值，典型值视具体批次）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

FDB5N90 采用先进的功率 MOSFET 技术，具备高电压耐受能力，最大漏源电压可达 900V，适合用于高电压开关应用。其导通电阻较低，在 5A 工作电流下，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，可在较高温度环境下稳定工作。
　　FDB5N90 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±30V，便于与多种控制电路（如 PWM 控制器或微处理器）配合使用。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提升整体系统性能。TO-252 封装形式具备良好的散热能力，适合中等功率应用场合。
　　该 MOSFET 还具备较强的短时过载能力，能够在短时间内承受较大的漏极电流，适用于负载波动较大的应用场景。其结构设计优化了雪崩能量耐受能力，提高了器件的可靠性和稳定性。

FDB5N90 常用于各种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器、电机驱动器和负载开关等。在照明系统（如 HID 灯驱动）、工业自动化控制、电池管理系统以及新能源设备（如光伏逆变器）中也有广泛应用。
　　由于其高耐压特性，FDB5N90 特别适合用于需要直接接入高压直流或交流整流后的电路中，作为主开关或同步整流器件使用。在电源管理系统中，它也可作为高侧或低侧开关，用于控制负载的通断。

FDB5N90 可以被 FQA5N90C、IRF840、FDPF5N90 或 STF5N90K 等型号替代，具体选择需根据电路设计要求和封装形式进行匹配。