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IS42S16400F-7BLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 18:28:02 查看 阅读:9

IS42S16400F-7BLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于同步动态随机存取存储器(SDRAM)类别,广泛应用于需要高性能和高存储密度的电子设备中。IS42S16400F-7BLI-TR采用16M x 16位的组织结构,总容量为256MB,支持同步操作,适用于网络设备、工业控制、嵌入式系统等多种应用场景。该芯片的工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),采用TSOP封装,适合在苛刻环境下运行。

参数

类型:DRAM(同步动态随机存取存储器)
  容量:256MB
  组织结构:16M x 16位
  封装类型:TSOP
  电源电压:3.3V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  时钟频率:166MHz
  数据速率:166MHz
  数据宽度:16位
  访问时间:5.4ns
  封装引脚数:54
  接口标准:LVTTL
  刷新方式:自动刷新/自刷新

特性

IS42S16400F-7BLI-TR是一款高性能的同步DRAM芯片,具备高速访问能力和低功耗特性。其同步接口支持与系统时钟同步的数据传输,提高了系统效率和稳定性。该芯片内置突发模式功能,支持连续的数据读写操作,有效提升了数据吞吐量。此外,IS42S16400F-7BLI-TR还支持自刷新模式,可在低功耗状态下保持数据完整性,适用于需要长时间运行的应用场景。
  该芯片的存储单元采用CMOS技术制造,具有较高的集成度和可靠性,能够在工业级温度范围内稳定工作。其TSOP封装设计有助于降低封装高度并提高散热性能,适合用于对空间和功耗有严格要求的设计。此外,该芯片的LVTTL兼容接口使其能够轻松集成到多种主板架构中,提供良好的兼容性和灵活性。
  在功能方面,IS42S16400F-7BLI-TR支持多种工作模式,包括突发模式、自动预充电模式和深度掉电模式,用户可根据具体应用需求进行配置。其自动刷新机制确保了数据在长时间运行中不会丢失,同时降低了系统维护的复杂性。该芯片的高性能和多功能特性使其成为通信设备、工控系统、视频处理设备等领域的理想选择。

应用

IS42S16400F-7BLI-TR广泛应用于需要高速、高容量数据存储的场合,例如路由器、交换机、工业控制器、视频采集设备、嵌入式系统等。该芯片的同步操作和低功耗特性使其非常适合需要实时数据处理和长时间运行的设备。

替代型号

IS48C1616A-6A, MT48LC16M2A2B4-6A

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IS42S16400F-7BLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度16 bit
  • 封装 / 箱体TFBGA-54
  • 存储容量64 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间6 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流110 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量2500