时间:2025/12/28 18:19:16
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IS42S16160D 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的16Mbit(1M x 16)动态随机存取存储器(DRAM),采用同步接口设计。该芯片采用CMOS工艺制造,适用于需要高性能数据存储和快速访问的应用场合,如网络设备、工业控制系统、图形处理模块以及嵌入式系统等。IS42S16160D 提供了标准的TSOP封装形式,便于在多种电子系统中集成。
容量:16Mbit
组织结构:1M x 16
电压:2.3V - 3.6V
访问时间:5.4ns
时钟频率:最大可达166MHz
工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装类型:54-TSOP
数据宽度:16位
刷新周期:64ms
IS42S16160D 是一款同步DRAM芯片,具备高速数据存取能力,适用于对存储性能要求较高的应用场景。其同步接口设计允许与高速处理器或控制器无缝连接,从而提升系统整体运行效率。该芯片支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在不频繁访问时仍能保持稳定。此外,其低功耗设计有助于延长设备电池寿命并减少系统散热需求。
该芯片还支持多种操作模式,包括突发模式和页模式,可以灵活地进行数据访问。突发模式下,用户可以选择不同的突发长度(如1、2、4、8),从而优化数据传输效率。页模式则允许在相同行地址下进行连续列地址访问,提高读写速度。此外,IS42S16160D 支持异步复位和同步复位功能,确保系统在各种工作状态下都能可靠运行。
在物理设计方面,IS42S16160D 使用54引脚TSOP封装,具有良好的电气性能和热稳定性,适合在空间受限的嵌入式系统中使用。其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在工业级环境下稳定运行,适用于各种严苛的工业和通信应用。
IS42S16160D 主要应用于需要高速数据缓存和临时存储的场景,如路由器、交换机、工业控制设备、图形加速卡、视频处理系统、通信模块以及嵌入式设备等。其同步DRAM架构使其特别适合与高速微处理器、FPGA或ASIC芯片配合使用。
IS42S16160B, IS42S16160C, CY7C1370, CY7C1365