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IS42S16160D-7BLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 8:47:52 查看 阅读:6

IS42S16160D-7BLI-TR是一款由Integrated Silicon Solution (ISSI)生产的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片的容量为256Mb,组织方式为16M x16位,适用于需要大量数据缓存和快速访问的应用场合。这款DRAM采用同步接口,工作频率高达143MHz,支持突发模式和自动刷新功能,适用于工业和商业温度范围。封装形式为54-pin TSOP,适合多种嵌入式系统和高性能应用。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x 16位
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作频率:最高143MHz
  封装类型:54-pin TSOP
  温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
  接口类型:同步DRAM接口
  数据速率:143MHz时数据传输速率为143Mbps
  刷新方式:自动刷新/自刷新
  访问时间:5.4ns(最大)
  功耗:典型工作电流约180mA

特性

IS42S16160D-7BLI-TR采用了先进的CMOS工艺制造,具备低功耗、高速度和高可靠性等特点。其同步接口设计允许与高速控制器无缝连接,提高系统性能。该芯片支持突发模式,可以连续读取或写入多个数据位,从而提高数据传输效率。此外,自动刷新和自刷新功能能够在不牺牲数据完整性的前提下有效降低系统功耗,适用于需要长时间运行的应用场景。该芯片的封装形式为TSOP,具有良好的散热性能和空间利用率,适合高密度PCB设计。此外,IS42S16160D-7BLI-TR符合RoHS标准,无铅环保,适用于各种工业级应用。

应用

IS42S16160D-7BLI-TR广泛应用于工业控制、网络设备、通信模块、视频处理系统、嵌入式系统以及消费类电子产品中。由于其高速性能和大容量存储能力,特别适用于需要快速数据处理的场合,如图像缓冲、数据缓存、网络路由器和交换机等设备。同时,其宽温范围和高可靠性也使其成为工业自动化和车载电子系统的理想选择。

替代型号

IS42S16160B-7TLL, IS42S16400F-6BLI, IS42S16800C-6TLL

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IS42S16160D-7BLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度16 bit
  • 封装 / 箱体TFBGA-54
  • 存储容量256 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间6.5 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流130 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量2500