容量：256Mb
　　组织结构：16M x 16位
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装类型：TQFP
　　引脚数：54
　　最大时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　刷新方式：自动刷新/自刷新
　　数据输出类型：三态输出
　　封装尺寸：14mm x 20mm
　　功耗：典型值100mA（待机模式下更低）

IS42S161007TI具备多项高性能特性。其同步架构确保了数据存取的高效性，能够与高速处理器和控制器无缝配合，适用于对实时性能要求较高的应用环境。芯片支持自动刷新和自刷新功能，在保持数据完整性的同时有效降低功耗，延长设备续航时间。该SDRAM还具备低待机电流特性，在系统空闲时可大幅降低能耗。此外，其三态输出设计有助于防止总线冲突，提高系统稳定性。
　　该芯片采用了先进的CMOS工艺技术，具有较高的抗干扰能力和稳定性，适用于复杂的工业环境。其封装形式为54引脚TQPF，适合在高密度PCB设计中使用，且具备良好的散热性能。IS42S161007TI的时钟频率高达166MHz，使其能够满足高速数据传输的需求，适用于视频处理、网络设备、工业控制等需要大容量高速缓存的应用场景。

IS42S161007TI广泛应用于需要高速存储的嵌入式系统中。典型应用包括网络设备（如路由器和交换机）、视频采集与处理设备、工业自动化控制系统、通信模块（如基站和无线接入设备）、智能卡终端、图形处理单元缓存、消费类电子产品（如高端智能电视和多媒体播放器）等。其高可靠性和宽温度范围使其特别适合于工业级和车载应用环境。

IS42S16100G-6T，IS42S16100G-7T，MT48LC16M16A2B4-6A，CY7C1370BV25-166BZS