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IS42RM32800K-6BLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 10:15:16 查看 阅读:4

IS42RM32800K-6BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司推出的一款高性能、低功耗的32Mbit(8M x 4)高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件适用于对速度、功耗和可靠性有较高要求的应用场景,如网络设备、工业控制系统、汽车电子和通信设备等。该SRAM芯片采用CMOS工艺制造,具有较高的稳定性和广泛的工作温度范围,适用于商业和工业级环境。

参数

容量:32Mbit
  组织结构:8M x 4
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间(tRC):6ns
  读取电流(最大):180mA
  待机电流(最大):10mA
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:54-TSOP
  工作模式:异步

特性

IS42RM32800K-6BLI-TR SRAM芯片具备多项高性能特性。首先,其6ns的访问时间能够满足高速数据读写需求,适用于实时数据处理和缓存应用场景。该芯片采用低功耗CMOS工艺,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长设备电池寿命并减少热量产生。此外,该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),提高了在不同电源环境下的兼容性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级应用的严苛要求,适用于汽车电子、通信基站等高温或低温环境。封装采用标准的54-TSOP封装,便于PCB布局与焊接,并与多种现有SRAM兼容,简化了系统设计和升级过程。芯片内部还集成了数据保持电路,确保在低功耗模式下数据不会丢失。

应用

该芯片广泛应用于需要高速存取和低功耗特性的系统中。例如,在工业自动化控制设备中,它可作为主控制器的高速缓存,提升数据处理效率。在汽车电子系统中,如ADAS(高级驾驶辅助系统)或车载信息娱乐系统,IS42RM32800K-6BLI-TR可提供稳定可靠的数据存储支持。此外,在网络通信设备中,该芯片可用于缓存高速数据包,提高数据交换效率。由于其宽温特性和工业级可靠性,也适用于户外通信设备、安防监控系统以及便携式测量仪器等应用场景。

替代型号

IS42RM32800G-6BLI-TR, CY7C1380D-5AXI, IDT71V416SA8B4S3GI

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IS42RM32800K-6BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥44.83745卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织8M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间5.5 ns
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)