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IS42RM32400G-75BLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:47:47 查看 阅读:25

IS42RM32400G-75BLI-TR 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高性能、低功耗的32Mbit(32兆位)的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具备高速访问时间和较低的功耗,适用于各种高性能嵌入式系统和工业应用。该芯片采用BGA封装形式,便于在空间受限的应用中使用。

参数

容量:32Mbit(32兆位)
  组织方式:x8或x16(可配置)
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:7.5ns
  封装类型:165-ball BGA
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装尺寸:11mm x 13mm
  引脚数量:165
  最大工作频率:约133MHz
  最大电流(典型值):待机电流小于10mA,工作电流约200mA
  数据保持电压:2.0V以上可保持数据

特性

IS42RM32400G-75BLI-TR 是一款高性能的异步SRAM芯片,具有7.5ns的快速访问时间,能够满足高速数据处理和缓存应用的需求。其异步接口设计使其易于集成到多种系统架构中,无需复杂的时钟同步机制。芯片采用低功耗CMOS工艺,在待机模式下仅消耗极低的电流,非常适合电池供电和低功耗应用场景。此外,该器件支持宽电压范围供电(2.3V至3.6V),增强了其在不同系统平台中的兼容性。
  该芯片具备较高的可靠性和稳定性,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),可在恶劣环境中稳定运行。其BGA封装设计不仅节省空间,还提供了良好的电气性能和热管理能力,适用于高密度PCB布局。IS42RM32400G-75BLI-TR 支持x8和x16两种数据宽度模式,提供了灵活的接口配置选项,可满足不同系统对存储器带宽的需求。
  该SRAM芯片广泛应用于网络设备、工业控制、通信模块、测试设备、医疗仪器以及嵌入式系统中,作为高速缓存、数据缓冲或程序存储器使用。

应用

IS42RM32400G-75BLI-TR 可用于以下应用场景:网络交换机和路由器中的高速缓存;工业控制系统中的数据缓冲存储器;通信模块(如无线基站和光模块)中的临时存储单元;测试和测量设备中的高速数据存储;医疗电子设备中的实时数据处理缓存;嵌入式系统中的程序和数据存储;图形显示控制器中的帧缓冲存储器。

替代型号

IS42RM32400F-75BLI-TR, CY7C1380D-550BZC, IDT70V28L135PFG, IS64WV51216EBLL-10B

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IS42RM32400G-75BLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度32 bit
  • 组织1 Mbit x 32
  • 封装 / 箱体BGA-90
  • 存储容量128 MB
  • 最大时钟频率133 MHz
  • 访问时间6 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.7 V
  • 最大工作电流55 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Reel
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量2500