MMBZ5258BV_R1_00001 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的表面贴装(SMD)型齐纳二极管(Zener Diode),用于提供稳定的参考电压和电压钳位保护。该器件采用SOT-23(SC-59)封装,适用于小型电子设备中的电压调节、过压保护以及参考电压源应用。MMBZ5258BV_R1_00001 的齐纳电压为 20V,属于中等电压范围的齐纳二极管,适合在多种模拟和数字电路中使用。
类型:齐纳二极管
封装:SOT-23 (SC-59)
齐纳电压(Vz):20V
齐纳电流(Iz):20mA
最大耗散功率(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
极性:单向齐纳二极管
最大反向漏电流(IR):100nA @ VR=16V
齐纳阻抗(Zz):900Ω @ Iz=20mA
MMBZ5258BV_R1_00001 作为一款高性能齐纳二极管,具有多项优异特性,适合多种电子电路中的电压调节和保护应用。
首先,该器件的齐纳电压为 20V,能够在标准工作条件下提供稳定的参考电压,适用于电压钳位、稳压器、基准电压源等电路设计。其额定齐纳电流为 20mA,在此电流下,齐纳二极管可保持稳定的电压输出,并具有较低的动态阻抗(Zz),确保在负载变化时仍能维持良好的电压调节性能。
其次,该器件采用 SOT-23(SC-59)封装,具有体积小、重量轻、便于表面贴装等优点,非常适合在高密度 PCB 设计中使用。其最大耗散功率为 300mW,可在较宽的工作温度范围内稳定运行(-55°C 至 150°C),适用于工业级和消费类电子产品。
此外,MMBZ5258BV_R1_00001 的最大反向漏电流在 16V 反向电压下仅为 100nA,表明其在未击穿状态下具有极低的漏电流,有助于降低功耗和提高系统稳定性。齐纳阻抗为 900Ω,保证了良好的电压调节能力,适用于对精度要求较高的电路设计。
该器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性,适合用于电源管理、信号调理、过压保护(OVP)电路以及模拟电路中的参考电压源。在通信设备、消费电子、汽车电子和工业控制系统中均有广泛应用。
MMBZ5258BV_R1_00001 主要用于以下几类电子系统和电路中:
首先,在电压调节和稳压电路中,该齐纳二极管可作为基准电压源,为运算放大器、比较器、ADC/DAC 转换器等提供稳定的参考电压。其20V的齐纳电压适用于中等电压等级的电路设计。
其次,在过压保护电路中,该器件可用于限制输入或输出电压,防止敏感电子元件因电压过高而损坏。例如,在电源适配器、USB充电器、电池管理系统中,它可以作为电压钳位元件,提高系统的稳定性和可靠性。
此外,该器件也可用于信号调理电路中,作为限幅器或电平转换元件,用于保护后级电路免受瞬态高压或静电放电(ESD)的损害。
由于其SOT-23封装结构紧凑,也广泛应用于智能手机、平板电脑、穿戴设备等便携式电子产品中,以实现高密度PCB布局和轻薄化设计。
在工业控制和自动化系统中,该齐纳二极管可用于传感器信号调节、电压监测和电源管理模块,确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。
MMBZ5258B、MMBZ5258BS、MMBZ5258B-13-F、MMBZ5258B-7