IS41LV16100S-50K是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为16Mbit,组织形式为1M x 16位。该芯片采用高性能CMOS工艺制造,适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。
类型:静态RAM(SRAM)
容量:16Mbit(1M x 16)
电压范围:3.3V
访问时间:50ns
封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
数据保持电压:1.5V至3.6V
待机电流:最大10mA(典型值)
工作电流:最大200mA(典型值)
封装引脚数:54
IS41LV16100S-50K具备高速访问能力,其访问时间为50ns,能够满足高性能系统设计的需求。该芯片采用低功耗设计,在待机模式下仅消耗极低的电流,适用于对功耗敏感的应用场景。
此外,该器件支持宽电压范围操作,从1.5V到3.6V均可正常工作,增强了其在不同应用环境下的适应性。芯片采用CMOS工艺制造,具备高噪声抑制能力和稳定性,适用于工业和通信设备等对可靠性要求较高的领域。
在封装方面,TSOP封装形式有助于减少芯片占用的PCB空间,提高系统的集成度。IS41LV16100S-50K还具备良好的温度稳定性,可在-40°C至+85°C的工业温度范围内稳定运行,适用于各种严苛环境条件下的应用。
IS41LV16100S-50K广泛应用于需要高速数据存储和低功耗的嵌入式系统、网络设备、工业控制系统、通信模块、测试仪器以及图形处理器等领域。其高速访问时间和低功耗特性使其成为高速缓存、数据缓冲和临时存储的理想选择。此外,由于其工业级温度范围和稳定的性能,该芯片也常用于汽车电子、航空航天以及工业自动化等高可靠性要求的应用场景。
IS42S16100G-50TLI、CY7C1041CV33-50BA、IDT71V124SA50PI