IS41LV16100C-50TLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片的容量为16Mbit(1Meg x 16),采用高性能CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问时间的特点。该SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的电子系统中,如网络设备、通信设备、工业控制系统和嵌入式系统。
类型:静态RAM(SRAM)
容量:16 Mbit(1 Meg x 16)
电源电压:3.3V
访问时间:50ns
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
接口类型:并行
最大工作电流:180mA(典型值)
封装尺寸:12mm x 20mm
存储器组织:1 Meg x 16
IS41LV16100C-50TLI SRAM芯片具备多项优异性能和可靠性特征。首先,它具有高速访问时间(50ns),能够满足高性能系统对数据存取速度的需求。其次,该芯片支持3.3V单电源供电,降低了功耗并简化了电源设计。其CMOS工艺确保了低待机电流,适合需要节能设计的应用场景。
该芯片采用TSOP封装,具有较小的封装尺寸,适用于空间受限的电路板设计。此外,IS41LV16100C-50TLI支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种严苛的工业和通信环境。其并行接口结构支持16位数据宽度,适用于高速数据缓冲和存储应用。
芯片内置的片上地址锁存器和双向数据控制引脚,使得其能够灵活地与各种微处理器和控制器接口。同时,其具有高可靠性和抗干扰能力,适用于长时间连续运行的系统。
IS41LV16100C-50TLI广泛应用于多种高性能电子系统中。例如,在通信设备中,该芯片可用于高速缓存、帧缓冲或数据队列存储;在网络设备中,可作为路由器或交换机的临时存储器,提高数据转发效率;在工业自动化系统中,可用于PLC(可编程逻辑控制器)的数据存储和处理;在嵌入式系统中,可作为主控芯片的外部存储器扩展,提高系统的运行效率和响应速度。
此外,该SRAM芯片也可用于图像处理设备、测试测量仪器、医疗电子设备以及航空航天系统等对数据处理速度和稳定性有较高要求的领域。
IS42S16100C-50TLI、CY62167VLL-55ZS、IDT71V128L16PFG50B、IS61LV102416A-50B