时间：2025/8/14 15:01:59
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GT1MMA_R1_00001是一款贴片式N沟道MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。其设计提供了高效的开关性能和低导通电阻，适合在多种电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
封装类型：贴片
最大漏极电流：30A
最大漏源电压：30V
导通电阻：8.5mΩ
功率耗散：120W
工作温度范围：-55°C至150°C
GT1MMA_R1_00001是一款性能优异的N沟道MOSFET，采用了先进的沟槽技术，确保了器件在高频开关应用中的高效能。其低导通电阻（Rds(on)）使其在高电流负载下依然能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
这款MOSFET的封装设计使其适用于表面贴装工艺，便于自动化生产并减少PCB空间占用。此外，其较高的最大漏极电流（30A）和适中的漏源电压（30V）使其适用于多种电源管理场合，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。
GT1MMA_R1_00001通常用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制电路中。由于其高效能和紧凑的封装设计，该器件特别适合用于空间受限但需要高效率的电子产品中，如笔记本电脑电源适配器、便携式充电设备、工业自动化设备和汽车电子系统。
SiS442DN, IRF3710, FDP3370
